[实用新型]双面金属化薄膜电容器有效
| 申请号： | 202121077443.2 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN216015097U | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 林俊松 | 申请（专利权）人： | 广东鸿志电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司： | 汕头市南粤专利商标事务所(特殊普通合伙) 44301 | 代理人： | 余飞峰 |
| 地址： | 515000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 金属化 薄膜 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.双面金属化薄膜电容器，包括：薄膜芯片、喷金层、电极引线和包封层，其特征在于：所述的薄膜芯片上下两表面通过真空蒸镀上金属化薄膜，薄膜芯片两端分别设置有电极铜引线，两端电极铜引线与薄膜芯片的喷金层通过焊锡焊接后相联结，包封层包裹在薄膜芯片外围。
2.根据权利要求1所述的双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述的金属化薄膜的厚度为0.01-0.017umm。
3.根据权利要求1或2所述的双面金属化薄膜电容器，其特征在于：所述的薄膜芯片堆叠在一起，第一、第三和第六层的薄膜芯片不镀上金属层，第二和第五层的薄膜芯片的两表面均为两边镀上金属层且中间留空不镀，第四和第七层的薄膜芯片上表面均为镀上金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东鸿志电子科技有限公司，未经广东鸿志电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121077443.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新生儿光疗用肢体护具
- 下一篇：一种口琴
