[实用新型]一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置

说明书

本实用新型提供一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置，其特征在于，包括：石英料筒：所述石英料筒由内向外设置有透明层和气泡层；筒盖：所述筒盖设置在所述石英料筒顶部；吸料管：所述吸料管贯穿所述石英料筒的底部，剩料由所述吸料管进入所述石英料筒内部。本实用新型的有益效果是石英料筒内部的透明层不会与剩料发生反应，提升吸料后埚底料纯度，且降低吸料装置与埚底料剩料接触的纯度，从而进一步提升单晶品质，减少对剩料的污染，降低生产成本。

技术领域

本实用新型属于太阳能光伏以及半导体制造领域，尤其是涉及一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置。

背景技术

随着单晶制造行业的发展，拉晶技术也越来越成熟，在复投料的过程中，多次取段复投会导致石英料筒内剩料中的金属等杂质聚集，使下一颗次的单晶少子寿命大幅降低，影响单晶品质及有效产量；且出现少子寿命异常后必然会直接停炉，从而使开炉成本增加，造成减利。

当前高纯陶瓷内筒仅可满足吸料，由于陶瓷纯度不够高影响吸出原料的品质，当硅溶液与陶瓷接触会产生其他杂质污染硅料，纯陶瓷材质仅可满足吸料，但由于陶瓷纯度及其他金属杂质杂质较多，会对原料造成轻微污染。

高纯陶瓷主要由氧化铝、二氧化硅等其他成分组成，高纯陶瓷加工过程煅烧温度为900℃-1050℃，导致其致密性差，未形成晶型转变会导致析晶层加快反应。由于硅在熔融状态下具有高度的化学活泼性，当硅溶液侵蚀高纯陶瓷内部时，高温生产过程中熔融后的Si和陶瓷主要材质SiO2反应产物为气态SiO，当工装内部的气态释放与石墨件反应形成CO气体，CO易溶于硅熔体中，将少量的C杂质和O杂质引入硅中，从而影响单晶成晶。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是提供一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置，有效的解决多次取段复投会导致石英料筒内剩料中的金属等杂质聚集，使下一颗次的单晶少子寿命大幅降低，影响单晶品质及有效产量，造成减利；使用陶瓷内筒仅可满足吸料，硅溶液与陶瓷接触会产生其他杂质污染硅料，会对原料造成轻微污染的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置，其特征在于，包括：

石英料筒：所述石英料筒由内向外设置有透明层和气泡层；

筒盖：所述筒盖设置在所述石英料筒顶部；

吸料管：所述吸料管贯穿所述石英料筒的底部，剩料由所述吸料管进入所述石英料筒内部。

优选地，所述石英料筒的顶部还设有一搭接口，用于放置所述筒盖。

更优选地，所述搭接口与所述筒盖的规格相匹配。

优选地，所述石英料筒的底部还设有一连接口，为所述吸料管通入所述石英料筒内部提供通道。

优选地，所述吸料管包括吸入部和输出部，所述吸入部设置在所述石英料筒的底部，向下延伸至距所述石英料筒底部一定距离处；所述输出部设置在所述石英料筒的底部，向上延伸至距所述石英料筒底部一定距离处。

优选地，所述吸入部和所述输出部在所述石英料筒底部相连通，所述剩料从所述吸入部吸入至所述吸料管内部，再从所述输出部输出至所述石英料筒内部。

优选地，所述筒盖配置为高纯石英材料。

优选地，所述吸料管配置为高纯石英材料。