[实用新型]用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚有效

专利信息
申请号: 202120958933.7 申请日: 2021-05-07
公开(公告)号: CN215440754U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 丁言国;武志龙;丁祖兵;陈凯;叶崇志 申请(专利权)人: 上海新漫晶体材料科技有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B15/34;C30B29/16
代理公司: 上海裕创慧成知识产权代理事务所(普通合伙) 31384 代理人: 黄裕
地址: 201821 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 导模法 生长 氧化物 晶体 坩埚
【权利要求书】:

1.一种用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,包括:

钨钼坩埚;所述钨钼坩埚为钨坩埚或钼坩埚,用于导模法生长氧化物晶体的感应加热器和盛料容器;

保护涂层;在所述钨钼坩埚的外表面喷涂所述保护涂层;

模具组件;在所述钨钼坩埚内底中心处设置固定所述模具组件,在所述模具组件中的顶端设置V型或U型凹槽结构,所述凹槽用于放置氧化物晶体籽晶;

横向通道;在所述模具组件底部贯穿设置所述横向通道。

2.根据权利要求1所述的用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,所述的模具组件,包括:

中心模具片;在所述模具组件的中心处设置若干块中心模具片;

第一模具片;在所述中心模具片的左右两侧中的一侧设置焊接所述第一模具片的一侧,所述第一模具片与中心模具片之间设置狭缝;

第二模具片;在所述中心模具片的另一侧设置焊接所述第二模具片的一侧,所述第二模具片与所述中心模具片之间设置狭缝,所述第二模具片的另一侧设置焊接所述第一模具片,所述第二模具片与所述第一模具片之间设置狭缝。

3.根据权利要求2所述的用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,在所述中心模具片、所述第一模具片和所述第二模具片的底部相同位置贯穿设置2-10个所述横向通道。

4.根据权利要求2所述的用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,所述的中心模具片的数量为1-15块。

5.根据权利要求2所述的用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,所述狭缝的宽度为0.2mm-1mm,所述的钨钼坩埚直径为40mm-300mm,所述保护涂层的厚度为0.1mm-3mm,所述的横向通道单个尺寸同一长为5mm-50mm,高为5mm-50mm。

6.根据权利要求1所述的用于导模法生长氧化物晶体的钨钼坩埚,其特征在于,所述的保护涂层的材料为耐高温的ZrO2

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