[实用新型]一种基于钝化接触结构的MWT电池有效
申请号: | 202120852300.8 | 申请日: | 2021-04-23 |
公开(公告)号: | CN215183998U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 张树德;刘玉申;倪志春;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 翟超 |
地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 钝化 接触 结构 mwt 电池 | ||
本实用新型提供一种基于钝化接触结构的MWT电池,其包括:P型硅基底,形成有贯穿式开孔;正面钝化减反层,形成于所述P型硅基底正面;背面钝化接触层,形成于所述P型硅基底背面;背面介质保护层,层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上;电池正极,填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层;以及电池负极,形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触;其中,所述电池正极为铝电极,并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。本实用新型的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集,无需正面副栅,可以进一步改善MWT电池的光吸收,提高电池转换效率。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池领域,尤其涉及一种基于钝化接触结构的MWT电池。
背景技术
晶硅太阳电池的正面电极一般由主栅和副栅两部分构成,副栅负责电荷的收集和传输,电荷经副栅传输和汇聚到主栅,主栅与测试电极或焊带进行连接。主栅和副栅均会遮挡光线,影响电池的光吸收。MWT电池通过采用穿孔结构将正面电极引到电池背面,从而消除了电池的正面主栅,减少了正面电极遮光面积,改善光吸收,提高电池转换效率。
但是,现有MWT电池需要采用正面副栅在硅基底的正表面实现电荷的收集,电荷经正面副栅和开孔内电极的传输,传输到硅基底的背表面,而且开孔内电极仅承担传输电荷的作用,无法从硅基底中收集电荷。因此,需要设计一种消除正面副栅的电池结构,进一步改善电池光吸收。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型公开了一种基于钝化接触结构的MWT电池,本实用新型的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集,无需正面副栅,可以进一步改善MWT电池的光吸收,提高电池转换效率。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案提供了一种基于钝化接触结构的MWT电池,其包括:P型硅基底,形成有贯穿式开孔;正面钝化减反层,形成于所述P型硅基底正面;背面钝化接触层,形成于所述P型硅基底背面;背面介质保护层,层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上;电池正极,填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层;以及电池负极,形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触;其中,所述电池正极为铝电极,并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。
进一步地,所述正面钝化减反层为氮化硅层、氮氧化硅层或者氧化铝层中的一种或者几种的叠层。
进一步地,所述正面钝化减反层包括氮化硅减反层和氧化铝钝化层,其中,所述氧化铝钝化层层叠在所述P型硅基底的正面,所述氮化硅减反层层叠在所述氧化铝钝化层上。
进一步地,所述背面钝化接触层包括隧穿氧化层和N型多晶硅层,其中,所述隧穿氧化层层叠在所述P型硅基底的背面,所述N型多晶硅层层叠在所述隧穿氧化层上。
进一步地,所述隧穿氧化层的厚度为1nm~2nm,所述N型多晶硅层的厚度为50nm~200nm。
进一步地,所述隧穿氧化层为隧穿氧化硅层。
进一步地,所述背面介质保护层为氮化硅层。
进一步地,所述电池负极的材料为银、铜、镍、钴中的一种或者多种。
进一步地,所述电池负极为银电极。
本实用新型的MWT电池具有以下有益技术效果:
1、在P型硅基底开孔中填充铝电极,铝和硅在烧结时经共晶反应形成铝掺杂的P+表面场,实现空穴的提取和收集。
2、无需正面副栅,进一步改善MWT电池的光吸收,提高电池转换效率。
3、电池背面采用隧穿氧化层和N型多晶硅作为钝化接触结构,与P型硅基底构成背面PN结,实现电子的提取和收集。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的