[实用新型]一种基于摩擦力的晶圆抓取机构有效
申请号: | 202120809640.2 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN214625009U | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 冯若 | 申请(专利权)人: | 上海茂那电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海索源知识产权代理有限公司 31431 | 代理人: | 安惠中 |
地址: | 200120 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 摩擦力 抓取 机构 | ||
本实用新型公开了一种基于摩擦力的晶圆抓取机构,包括晶圆叉子和O形圈,所述晶圆叉子的一端一体固连有叉柄,所述晶圆叉子的另一端一体固连有叉肘,远离叉柄的所述叉肘的端部一体固连有叉端,靠近晶圆叉子的所述叉肘的一端开设有第一卡槽,靠近叉端的所述叉肘的一端开设有第二卡槽,所述O形圈的两侧分别与第一卡槽和第二卡槽卡合嵌接。本实用新型在传统的真空吸附抓取晶圆的基础上增加使用摩擦力抓取的方式,可以用于抓取深槽晶圆及薄片晶圆,这样设备同时具备了抓取各种形状晶圆的能力,同时设备稳定,产线产能和成品率大幅提高;通过O形圈的设计,可以增加晶圆与叉子之间的摩擦力,从而顺利抓取晶圆。
技术领域
本实用新型涉及晶圆抓取技术领域,尤其涉及一种基于摩擦力的晶圆抓取机构。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。
现有的晶圆抓取机构使用真空吸附抓取晶圆,为了抓取薄片或深槽刻蚀晶圆,只能降低真空吸附压力,从而导致设备故障率高、产能下降,同时碎片率高,导致生产线成品率降低。
实用新型内容
(一)实用新型目的
为解决背景技术中提到的现有的晶圆抓取机构使用真空吸附抓取晶圆,为了抓取薄片或深槽刻蚀晶圆,只能降低真空吸附压力,从而导致设备故障率高、产能下降,同时碎片率高,导致生产线成品率降低的问题,本实用新型提出一种基于摩擦力的晶圆抓取机构。
(二)技术方案
本实用新型提供了一种基于摩擦力的晶圆抓取机构,包括晶圆叉子和O形圈,所述晶圆叉子的一端一体固连有叉柄,所述晶圆叉子的另一端一体固连有叉肘,远离叉柄的所述叉肘的端部一体固连有叉端,靠近晶圆叉子的所述叉肘的一端开设有第一卡槽,靠近叉端的所述叉肘的一端开设有第二卡槽,所述O形圈的两侧分别与第一卡槽和第二卡槽卡合嵌接。
优选的,所述叉肘的后侧固定连接有光纤传感器,所述光纤传感器的前侧连接有传感探头,且所述传感探头同时贯穿叉肘的前后表面。
优选的,所述O形圈和叉肘的相同位置均贯穿开设有多个螺栓孔,相对的所述螺栓孔之间通过螺栓螺纹旋接。
优选的,所述叉端的外表面固定连接有参照弧条,且所述参照弧条的内环面与O形圈的外环面贴合。
优选的,所述叉肘的中部贯穿开设有散热条孔。
与现有的技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型在传统的真空吸附抓取晶圆的基础上增加使用摩擦力抓取的方式,可以用于抓取深槽晶圆及薄片晶圆,这样设备同时具备了抓取各种形状晶圆的能力,同时设备稳定,产线产能和成品率大幅提高;
通过O形圈的设计,可以增加晶圆与叉子之间的摩擦力,从而顺利抓取晶圆;
通过参照弧条的设计,可以随时观察O形圈的变形程度,从而便于及时将变形较大的O形圈更换掉。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种基于摩擦力的晶圆抓取机构的结构示意图;
图2为本实用新型与O形圈的连接示意图。
图中:1晶圆叉子、2叉柄、3叉肘、4叉端、5第一卡槽、6第二卡槽、7光纤传感器、8传感探头、9螺栓孔、10散热条孔、11参照弧条、12螺栓、13O形圈。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造