[实用新型]掺杂剂容器

说明书

本实用新型涉及半导体制备领域，具体而言，涉及一种掺杂剂容器；掺杂剂容器包括容器本体和连接组件，容器本体设置有用于盛装掺杂剂的容纳腔；连接组件包括设置于容器本体的第一连接件和第二连接件；其中，一个掺杂剂容器的第一连接件能够与另一个掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。本实用新型提供的掺杂剂容器能够便于使掺杂剂达到浓度要求。

技术领域

本实用新型涉及半导体制备领域，具体而言，涉及一种掺杂剂容器。

背景技术

碳化硅是继第一代半导体Si、第二代半导体GaAs之后发展起来的重要的第三代半导体材料，它具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高载流子饱、高抗辐射能力及良好的化学稳定性等的优越特性，因其本身具有的特性，第三代半导体技术可以在多种领域广泛应用；近年来第三代半导体材料还迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。

半绝缘碳化硅(SiC)单晶衬底由于具有禁带宽度大、电阻率及热导率高、击穿场强大等优异的物理性能，成为制备GaN基高频微波器件的优选半导体材料。随着5G技术的不断发展，市场端对半绝缘碳化硅单晶衬底的需求数量不断扩大。更重要的是，批量商业化的应用对碳化硅半绝缘单晶衬底的质量要求也提出了更高的要求。相关技术提供的产业化的半绝缘碳化硅单晶制备是在物理气相法(PVT)的基础上，通过引入高浓度的钒杂质作为深能级补偿中心实现半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为掺杂半绝缘碳化硅单晶；或者通过在晶体制备过程中不断降低晶体中的浅能级杂质浓度并引入一定数量的本征点缺陷实现其半绝缘特性，由此制备的碳化硅单晶称为高纯半绝缘碳化硅单晶。

相关技术提供的掺杂方式不容易使掺杂剂达到浓度要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掺杂剂容器，其能够便于使掺杂剂达到浓度要求。

本实用新型的实施例是这样实现的：

本实用新型提供一种掺杂剂容器，包括：

容器本体，容器本体设置有用于盛装掺杂剂的容纳腔；

连接组件，连接组件包括设置于容器本体的第一连接件和第二连接件；其中，

一个掺杂剂容器的第一连接件能够与另一个掺杂剂容器的第二连接件可拆卸地连接。

在可选的实施方式中，容器本体包括壳体和与壳体活动连接的盖板，壳体设置有容纳腔和敞口，敞口与容纳腔连通，盖板用于封闭或打开敞口。

在可选的实施方式中，壳体的外侧壁设置有第一连接件和第二连接件两者中的至少一者，盖板设置有第一连接件和第二连接件两者中的至少另一者。

在可选的实施方式中，第一连接件为凸起，第二连接件为凹槽；壳体包括依次首尾连接的第一板、第二板、第三板和第四板、以及同时与第一板的第一端、第二板的第一端、第三板的第一端以及第四板的第一端连接的第五板，第一板的第二端、第二板的第二端、第三板的第二端以及第四板的第二端共同形成敞口，且第一板、第二板、第三板、第四板和第五板共同围成容纳腔；

第一板、第二板、第三板、第四板和第五板五者中的至少一者设置有凹槽，五者中的至少另一者设置有凸起；盖板设置有凹槽和凸起两者中的至少一者。

在可选的实施方式中，盖板设置有凸起，第一板和第二板均设置有凸起，第三板、第四板和第五板均设置有凹槽。

在可选的实施方式中，凸起和凹槽的截面均呈圆形。

在可选的实施方式中，盖板与壳体滑动连接。

在可选的实施方式中，壳体和盖板两者中的一者设置有滑槽，两者中的另一者设置有滑块，滑块与滑槽可拆卸地滑动配合。