[实用新型]一种高功率半片组件有效
申请号: | 202120751521.6 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN215377423U | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 邝亚镭 | 申请(专利权)人: | 江西顶耀智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/02;H02S40/34 |
代理公司: | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人: | 石红丽 |
地址: | 336000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 组件 | ||
本实用新型涉及一种高功率半片组件及其制备方法,其中高功率半片组件包括光伏模块、钢板以及多个接线盒,光伏模块固定在钢板的一面,多个接线盒分别通过罐装胶粘接固定在钢板远离光伏模块的一面。光伏模块内的电池连接有汇流条导线,汇流条导线穿过光伏模块与钢板后与接线盒连接。钢板上开设有多个供汇流条导线穿过的钢板孔,汇流条导线的外侧壁与钢板孔的内侧壁之间的间距为4‑6mm。其中汇流条导线与钢板孔的内壁间距为4‑6mm,满足了600‑1500V的爬电距离,使得光伏模块发电系统的电压达到600‑1500V,从而提高了发电系统的效率。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件技术领域,尤其是涉及一种高功率半片组件。
背景技术
光伏建筑一体化(即BIPV Building Integrated PV,PV即Photovoltaic)是应用太阳能发电的一种新概念,简单地讲就是将太阳能光伏发电方阵安装在建筑的围护结构外表面来提供电力。根据光伏方阵与建筑结合的方式不同,光伏建筑一体化可分为两大类:一类是光伏方阵与建筑的结合。另一类是光伏方阵与建筑的集成。如光电瓦屋顶、光电幕墙和光电采光顶等。在这两种方式中,光伏方阵与建筑的结合是一种常用的形式,特别是与建筑屋面的结合。
由于光伏方阵与建筑的结合不占用额外的地面空间,是光伏发电系统在城市中广泛应用的最佳安装方式,因而倍受关注。光伏方阵与建筑的集成是BIPV的一种高级形式,它对光伏组件的要求较高。光伏组件不仅要满足光伏发电的功能要求同时还要兼顾建筑的基本功能要求。
现有技术中,传统单玻和双玻组件发电系统的系统电压都在600-1500V,而以钢板作为背板的组件,其发电系统的系统电压都是低压,在几十伏以内,发电成本较高,因此,亟需一种高功率半片组件来提高发电系统的效率。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种高功率半片组件及其制备方法,其制备的高功率半片组件能够提升光伏组件发电系统的系统电压,使其达到600-1500V,从而提高了发电系统的效率。
本实用新型的上述实用新型目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种高功率半片组件,包括光伏模块、钢板以及多个接线盒,所述光伏模块固定在所述钢板的一面,多个所述接线盒分别通过密封胶粘接固定在所述钢板远离所述光伏模块的一面;
所述光伏模块内的电池连接有汇流条导线,所述汇流条导线穿过所述光伏模块与所述钢板后与所述接线盒连接;
所述钢板上开设有多个供所述汇流条导线穿过的钢板孔,所述汇流条导线的外侧壁与所述钢板孔的内侧壁之间的间距为4-6mm。
通过上述技术方案,首先将光伏模块固定在钢板上,并且通过硅胶将接线盒固定在钢板远离光伏模块的一面。其中汇流条导线与钢板孔的内壁间距为4-6mm,满足了600-1500V的爬电距离,使得光伏模块发电系统的电压达到600-1500V。其中,爬电距离指沿绝缘表面测得的两个导电零部件之间,在不同的使用情况下,由于导体周围的绝缘材料被电极化,导致绝缘材料呈现带电现象的带电区。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述光伏模块包括钢化玻璃、太阳能电池片以及绝缘层,所述钢化玻璃固定在所述太阳能电池片的一面,所述钢板设置在所述太阳能电池片远离所述钢化玻璃的一面,所述绝缘层固定在所述钢板与所述太阳能电池片之间。
通过上述技术方案,钢化玻璃在不影响太阳能电池片采集光能的基础上,有效的保护了太阳能电池片,钢板由于是金属能够导电,所以需要用一层绝缘层将钢板与太阳能电池片隔开,保证了太阳能电池片工作的稳定性。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:一个所述光伏模块还包括三层封装膜,一层所述封装膜固定在所述钢化玻璃与所述太阳能电池片之间,另一层所述封装膜固定在所述太阳能电池片与所述绝缘层之间,最后一层所述封装膜固定在所述绝缘层与所述钢板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的