[实用新型]垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底、至少一台型结构和一沟道，所述台型结构形成于所述衬底上且包括一发光孔，还包括：第一欧姆接触层和外延结构；所述第一欧姆接触层形成在所述衬底上；所述外延结构形成在所述第一欧姆接触层上；所述外延结构包括第一反射层、至少两个有源层和第二反射层，所述第一反射层形成在所述第一欧姆接触层上，至少两个有源层形成在所述第一反射层上，所述至少两个有源层之间设置有隧道结，所述第二反射层形成在所述至少两个有源层上；

第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层形成在所述至少一台型结构上；

第一电极层，所述第一电极层形成在所述第二欧姆接触层上；

其中，所述台型结构为正多边形结构，所述发光孔为对应的正多边形发光孔，所述发光孔的边缘距离所述沟道边缘的距离均相等，其中，所述正多边形的内角被360整除。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述正多边形结构为正三角形结构，所述正多边形发光孔为正三角形发光孔。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述正多边形结构为正方形结构，所述正多边形发光孔为正方形发光孔。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述正多边形结构为正六边形结构，所述正多边形发光孔为正六边形发光孔。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有源层包括第一半导体层、有源区和第二半导体层，所述有源区设置在所述第一半导体层及第二半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述台型结构还包括电流限制层，所述电流限制层位于所述第一反射层、所述第二反射层或所述有源层中其中的一层中，用于定义所述发光孔。

7.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述正方形发光孔的有效发光填充比例大于或者等于20％。

8.一种激光器芯片，其特征在于，包括：

多个排列的激光器，每一所述激光器包括：

衬底、至少一台型结构和一沟道，所述台型结构形成于所述衬底上且包括一发光孔，还包括：第一欧姆接触层和外延结构；所述第一欧姆接触层形成在所述衬底上；所述外延结构形成在所述第一欧姆接触层上；所述外延结构包括第一反射层、至少两个有源层和第二反射层，所述第一反射层形成在所述第一欧姆接触层上，至少两个有源层形成在所述第一反射层上，所述至少两个有源层之间设置有隧道结，所述第二反射层形成在所述至少两个有源层上；

第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层形成在所述至少一台型结构上；

第一电极层，所述第一电极层形成在所述第二欧姆接触层上；

其中，所述至少一台型结构为正多边形结构，所述发光孔为对应的正多边形发光孔，所述发光孔的边缘距离所述沟道边缘的距离均相等，其中，所述正多边形的内角被360整除。

9.根据权利要求8所述的激光器芯片，其特征在于，两个相邻所述台型结构之间共用一个沟道。

10.一种激光器发射模组，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的激光器芯片；

还包括：基板、扩散片和支撑柱，所述激光器芯片设置在所述基板上，所述支撑柱设置在所述基板上，所述扩散片设置在所述支撑柱上，用于扩散所述激光器芯片出射的激光光斑。