[实用新型]一种HPLC运维芯片充电电路

说明书

本实用新型公开了一种HPLC运维芯片充电电路，包括控制单元、充电单元和过欠载保护单元，充电单元和过欠载保护单元均连接控制单元，本实用新型工作原理简单，能够实现对HPLC运维芯片的快速充电，同时能够防止外部充电器因断电后开启时瞬间高电流而烧坏HPLC运维芯片，避免了能源的浪费以及安全事故的发生。

技术领域

本实用新型涉及充电电路技术领域，具体为一种HPLC运维芯片充电电路。

背景技术

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种HPLC运维芯片充电电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种HPLC运维芯片充电电路,包括控制单元、充电单元和过欠载保护单元，所述充电单元和过欠载保护单元均连接控制单元。

优选的，所述充电单元包括降压芯片，所述降压芯片EN端分别连接电容C一端和IN端，GND端接地，所述降压芯片BST端连接电容D一端，所述降压芯片SW端分别连接电容D另一端和二极管D负极，所述二极管D正极接地。

优选的，还包括变压器，所述变压器一端连接二极管D负极，所述变压器另一端分别连接电容E一端、电阻F一端，所述电阻F另一端分别连接电阻G一端和降压芯片FB端，所述电阻G另一端分别连接电容E另一端、二极管D正极并接地。

优选的，所述过欠载保护单元包括开关、三极管、场效应晶体管、双向触发二极管和双向可控硅管，所述三极管基极分别连接二极管B负极和电阻D一端，集电极分别连接场效应晶体管栅极和电阻B一端，所述三极管发射极分别连接场效应晶体管源极和电阻D另一端，所述场效应晶体管漏极分别连接二极管C负极和电容B一端，所述电容B另一端分别连接双向触发二极管一端和电阻E一端，所述电阻E另一端连接双向可控硅管一端，所述双向可控硅管另一端分别连接双向触发二极管另一端和三极管发射极，所述二极管C正极分别连接电阻A一端和二极管B正极，所述电阻A另一端连接开关一端，所述开关另一端连接二极管A正极，所述二极管A负极串联连接电阻B、电容A，所述电容A两端并联电阻C。

优选的，所述控制单元采用STM32单片机。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型工作原理简单，能够实现对HPLC运维芯片的快速充电，同时能够防止外部充电器因断电后开启时瞬间高电流而烧坏HPLC运维芯片，避免了能源的浪费以及安全事故的发生。

附图说明

图1为本实用新型控制原理框图；

图2为本实用新型充电单元电路图；

图3为本实用新型过欠载保护单元电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。