[实用新型]氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器有效
申请号: | 202120466147.5 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN215183986U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 吴义凯;黄安平;魏爽;孟兆明 | 申请(专利权)人: | 珠海经济特区方源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203 |
代理公司: | 深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728 | 代理人: | 刘英 |
地址: | 519031 广东省珠海市香洲区宝南路317号*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 镓单晶 检测 用具 防护 功能 紫外 探测器 | ||
本实用新型公开了氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器,包括衬底层和限位座,所述衬底层的上方设置有缓冲层,所述缓冲层的顶部两侧设置有电极,所述衬底层与缓冲层的外侧设置有防护壳,所述衬底层靠近防护壳的外侧边缘开设有插槽,所述防护壳靠近衬底层的内壁边缘开设有卡槽,所述限位座的上方边缘开设有连接槽,所述限位座的外侧开设有拆卸口。该氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器,将防护壳套接在衬底层和缓冲层的外侧,使用限位座沿着衬底层外侧边缘的插槽,使得限位座的一侧和防护壳内壁表面的卡槽进行卡接,从而通过限位座对衬底层和缓冲层的安装进行限位,进而方便对该日盲紫外探测器进行防撞保护。
技术领域
本实用新型涉及氧化镓单晶检测技术领域,具体为氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器。
背景技术
大气层对200-280nm紫外波段的太阳光具有强烈的吸收,200-280nm波段的光称为日盲紫外光。大气层对日盲紫外光的吸收为人造日盲紫外信号的检测提供一种天然的低背景窗口。在进行氧化镓单晶检测时需要相应的日盲紫外探测器进行辅助,现有的日盲紫外探测器在使用时仍存在容易受到碰撞损坏等问题,为此,我们希望能够通过对氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器的创新来提高氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器的安装效率,便于防护,提高使用效率,使之发挥出最大的价值,随着科技的发展,氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器有了很大程度的发展,它的发展给人们在对氧化镓进行检测时带来了很大的便利,其种类和数量也正在与日俱增。
目前市场上的氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器虽然种类和数量非常多,但是氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器有这样的缺点:氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器不具有防护功能,氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器难以拆卸维护和氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器不便于在指定位置进行快速安装拆卸。因此要对现在的氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器,以解决上述背景技术提出的目前市场上的氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器不具有防护功能,氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器难以拆卸维护和氧化镓单晶检测用日盲紫外探测器不便于在指定位置进行快速安装拆卸的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器,包括衬底层和限位座,所述衬底层的上方设置有缓冲层,所述缓冲层的顶部两侧设置有电极;
所述衬底层与缓冲层的外侧设置有防护壳,所述衬底层靠近防护壳的外侧边缘开设有插槽,所述防护壳靠近衬底层的内壁边缘开设有卡槽,所述限位座连接在插槽的内部,所述限位座的上方边缘开设有连接槽,所述限位座的外侧开设有拆卸口,所述防护壳的外侧四周开设有安装槽,所述安装槽的内侧底端固定有连接座,所述连接座的上方固定有压板。
优选的,所述防护壳内侧顶端的宽度小于缓冲层的宽度,且防护壳的高度等于衬底层与缓冲层相加的厚度。
优选的,所述限位座的截面形状为“L”字型,且限位座的厚度和插槽的宽度相匹配,并且限位座和卡槽之间呈卡合连接。
优选的,所述拆卸口呈“U”字型,且拆卸口关于限位座的中心线呈对称分布。
优选的,所述连接座的宽度小于安装槽的宽度,且连接座一侧的压板和防护壳之间互不接触。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1)、该氧化镓单晶检测用具有防护功能的日盲紫外探测器,将防护壳套接在衬底层和缓冲层的外侧,使用限位座沿着衬底层外侧边缘的插槽,使得限位座的一侧和防护壳内壁表面的卡槽进行卡接,从而通过限位座对衬底层和缓冲层的安装进行限位,进而方便对该日盲紫外探测器进行防撞保护;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的