[实用新型]带谐波匹配结构的高效率功率放大器电路拓扑结构

权利要求书

1.带谐波匹配结构的高效率功率放大器电路拓扑结构，其特征是包括匹配单元一、匹配单元二、匹配单元三、匹配单元四、第一级场效应晶体管（Q1）、第二级场效应晶体管（Q2）、第三级场效应晶体管（Q3）、栅极偏置电压（VG）和漏极偏置电压（VD），所述匹配单元一信号输出端连接第一级场效应晶体管（Q1）栅极，第一级场效应晶体管（Q1）漏极连接匹配单元二信号输入端，匹配单元二信号输出端连接第二级场效应晶体管（Q2）栅极，第二级场效应晶体管（Q2）漏极连接匹配单元三信号输入端，匹配单元三信号输出端连接第三级场效应晶体管（Q3）栅极，第三级场效应晶体管（Q3）漏极连接匹配单元四信号输入端；所述第一级场效应晶体管（Q1）、第二级场效应晶体管（Q2）、第三级场效应晶体管（Q3）的源极均接地；第一级场效应晶体管（Q1）的栅极经匹配单元一连接栅极偏置电压（VG）；第二级场效应晶体管（Q2）的栅极经匹配单元二连接栅极偏置电压（VG）；第三级场效应晶体管（Q3）的栅极经匹配单元三连接栅极偏置电压（VG）；第一级场效应晶体管（Q1）的漏极经匹配单元二连接漏极偏置电压（VD）；第二级场效应晶体管（Q2）的漏极经匹配单元三连接漏极偏置电压（VD）；第三级场效应晶体管（Q3）的漏极经匹配单元四连接漏极偏置电压（VD）。

2.根据权利要求1所述的带谐波匹配结构的高效率功率放大器电路拓扑结构，其特征是所述匹配单元一包括依次串联连接的TL1_1微带线、C1_1电容、TL2_1微带线、TL3_1微带线和TL4_1微带线；匹配单元一信号输入端连接TL1_1微带线；TL5_1微带线并联于TL1_1微带线与C1_1电容之间；C2_1电容并联于TL2_1微带线与TL3_1微带线之间；TL6_1微带线、R1_1电阻和C3_1电容构成一个串联支路并联于TL3_1微带线与TL4_1微带线之间；TL4_1微带线的另一端与第一级场效应晶体管（Q1）的栅极连接；R1_1电阻和C3_1电容的公共端连接栅极偏置电压（VG）。

3.根据权利要求1所述的带谐波匹配结构的高效率功率放大器电路拓扑结构，其特征是所述所述匹配单元二包括依次串联TL1_2微带线、C1_2电容、TL2_2微带线、TL3_2微带线、TL4_2微带线；TL5_2微带线、R1_2电阻、C3_2电容构成一个串联支路并联于TL1_2微带线和C1_2电容之间；C2_2电容并联于TL2_2微带线与TL3_2微带线之间；TL6_2微带线、R2_2电阻、C4_2电容构成一个串联支路并联于TL3_2微带线、TL4_2微带线；TL1_2微带线的另一端与第一级场效应晶体管（Q1）的漏极连接；TL4_2微带线的另一端与第二级场效应晶体管（Q2）的栅极连接；R1_2电阻和C3_2电容的公共端连接漏极偏置电压（VD），R2_2电阻和C4_2电容的公共端连接栅极偏置电压（VG）。