[实用新型]一种晶圆高精密厚度研磨在线控制设备有效
申请号: | 202120333494.0 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN215036461U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 贾怀宇 | 申请(专利权)人: | 北京三禾泰达技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/005;B24B37/27;B24B37/34;B24B47/20;B24B49/10 |
代理公司: | 武汉仁合利泰专利代理事务所(特殊普通合伙) 42275 | 代理人: | 刘川 |
地址: | 100000 北京市顺*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆高 精密 厚度 研磨 在线 控制 设备 | ||
本实用新型公开了一种晶圆高精密厚度研磨在线控制设备,包括研磨装置本体、密封门、丝杆、初始画面、加工压力待机画面、虚拟研磨和设备调整,所述虚拟研磨的输出端和晶体厚度设定的输入端相互连接,所述晶体厚度设定的输出端和控制器模块的输入端相互连接,本实用新型通过设置的晶体厚度设定,能够通过手动输入设定研磨晶片厚度,能够通过控制器模块将信息情况分别传递到控制单元和传感器放大器单元,通过控制单元将将研磨信息情况通过测量处理一进行处理,并通过指令发出模块一将信息传输到数据合成模块,通过设置的补偿演算和补偿值记忆,能够对研磨信息情况进行智能调整,从而能够避免使用者手动调整,增加了晶片研磨时的准确性。
技术领域
本实用新型属于研磨在线控制技术领域,具体涉及一种晶圆高精密厚度研磨在线控制设备。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主,晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
现针对于目前市面上大多数的晶圆高精密厚度研磨在线控制设备提出以下问题:
1、目前市面上大多数的晶圆高精密厚度研磨在线控制设备在使用过程中,一般不能对工件厚度进行精密控制,且在研磨过程中需要使用者根据实际研磨情况手动对装置进行停机,这种方式较为麻烦且不能对研磨情况进行掌控,影响研磨效果;
2、目前市面上大多数的晶圆高精密厚度研磨在线控制设备在使用过程中,一般需要对设备进行校正,但是市面上大多数的控制设备在校正过程中,需要人工手动调整测量设备的位置,这种方式校正效果较差;
3、目前市面上大多数的晶圆高精密厚度研磨在线控制设备在使用过程中,需要使用者手动将晶片放置在搬运器内,并手动将搬运器推入到上下平台内,这种方式较为麻烦。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种晶圆高精密厚度研磨在线控制设备,以解决上述背景技术中提出的不能对研磨情况进行掌控的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆高精密厚度研磨在线控制设备,包括研磨装置本体、密封门、丝杆、初始画面、加工压力待机画面、虚拟研磨和设备调整,所述虚拟研磨的输出端和晶体厚度设定的输入端相互连接,所述晶体厚度设定的输出端和控制器模块的输入端相互连接,所述控制器模块的输出端分别和控制单元、传感器放大器单元的输入端相互连接,所述控制单元的输入端和测量处理一的输入端相互连接,所述测量处理一的输出端和指令发出模块一的输入端相互连接,所述指令发出模块一的输出端和数据合成模块的输入端相互连接,所述数据合成模块的输出端和补偿演算的输入端相互连接,所述补偿演算的输出端和补偿值记忆的输入端相互连接,所述补偿值记忆的输出端和测量结束的输入端相互连。
优选的,所述传感器放大器单元的输出端和测量处理二的输入端相互连接,所述测量处理二的输出端和指令发出模块二的输入端相互连接,所述指令发出模块二的输出端和传感器模块的输入端相互连接。
优选的,所述传感器模块的输出端和图像处理模块的输入端相互连接,所述图像处理模块的输出端和搬运器检测模块的输入端相互连接,所述搬运器检测模块的输出端和控制单元的输入端相互连接。
优选的,所述设备调整包含有传感器直线校正、电涡流传感器线性校正和传感器高度调整。
优选的,所述初始画面的输出端和基准厚度选择模块的输入端相互连接,所述基准厚度选择模块的输出端和加工压力待机画面的输入端相互连接。
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