[实用新型]全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统

权利要求书

1.全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，包括箱体(1)，其特征在于，所述箱体(1)的顶部开设有插槽(2)，所述插槽(2)内设置有蓄电池组件(7)，所述箱体(1)的底部开设有安装槽，安装槽内设置有稳压主板(8)，所述稳压主板(8)通过导线与蓄电池组件(7)电性连接。

2.根据权利要求1所述的全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，其特征在于，所述蓄电池组件(7)包括外壳(11)，所述外壳(11)的一侧设置有限位块，所述箱体(1)的顶部设置有提手(13)，所述箱体(1)的另一侧设置有散热片，所述箱体(1)的内部设置有蓄电池(12)，所述箱体(1)的底部设置有插口(14)，所述插口(14)通过导线与蓄电池(12)电性连接；所述插槽(2)的内侧壁开设有与限位块形状匹配的限位槽(3)，所述插槽(2)的内壁底部设置有支撑块(9)和插头(10)，所述插头(10)的高度大于支撑块(9)的高度。

3.根据权利要求2所述的全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，其特征在于，所述箱体(1)的一侧设置有散热鳍(4)，所述箱体(1)的另一侧设置有散热扇(6)，所述插槽(2)内壁底部的插头(10)和外壳(11)底部的插口(14)形状相互匹配，所述插头(10)插接在插槽(2)内，所述插头(10)通过导线与稳压主板(8)的输入端电性连接，所述散热扇(6)通过导线与稳压主板(8)电性连接，所述箱体(1)的侧面设置有与插槽(2)连通的溢流槽(5)。

4.根据权利要求1所述的全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，其特征在于，所述稳压主板(8)包括稳压单元(15)、滤波单元(16)、外围供电单元(17)、显示单元(18)、低压保护单元(19)，所述滤波单元(16)的输出端分别与稳压单元(15)和外围供电单元(17)以及低压保护单元(19)电性连接，所述显示单元(18)的输入端与蓄电池组件(7)的输出端电性连接；所述滤波单元(16)的输入端通过导线与插槽(2)内壁底部的插头(10)电性连接。

5.根据权利要求4所述的全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，其特征在于，所述滤波单元(16)包括由L1-A和L1-B构成的共模电感、电容C1、电容C2、电容C3、保险管F1和防反二极管D1；

所述共模电感的正极输入端与负极输入端之间并联电容C1，所述电容C2和电容C3串联且并联在共模电感的正极输出端与负极输出端之间，所述防反二极管D1的负极与保险管F1的一端连接，所述保险管F1的另一端与共模电感的正极输入端电性连接；所述在共模电感的正极输出端串联有开关，开关的两端并联有电阻R1，开关的输出端与共模电感的负极输出端之间并联有有极电容C4。

6.根据权利要求5所述的全频段新架构SDR干扰系统用直流电供电系统，其特征在于，所述稳压单元(15)包括电感L3-B、二极管D2、N沟场效应管Q1、电感L2-B、N沟场效应管Q49、有极电容C5、N沟场效应管Q2、有极电容C6、PWM芯片U3和PWM芯片U1；所述有极电容C4的正极与电感L3-B的第一端连接，所述电感L3-B的第二端分别与N沟场效应管Q49的漏极和二极管D2的阳极连接，所述N沟场效应管Q49的漏极连接的源极与有极电容C4的阴极电性连接，其栅极与PWM芯片U3的一脚连接，所述二极管D2的阴极分别与有极电容C5的阳极和N沟场效应管Q1的漏极连接，所述有极电容C5的阴极与N沟场效应管Q49的源极连接，所述N沟场效应管Q1的源极分别与电感L2-B的第一端和N沟场效应管Q2的漏极连接，所述N沟场效应管Q2的源极与有极电容C5的阴极连接，其栅极与PWM芯片U1的一脚连接，所述电感L2-B的第二端与有极电容C6的阳极连接，所述极电容C6的阴极与N沟场效应管Q2的源极连接并接地。