[实用新型]一种多电极半导体激光器有效

申请号：	202120235506.6	申请日：	2021-01-28
公开（公告）号：	CN214227348U	公开（公告）日：	2021-09-17
发明（设计）人：	谢鹏飞;雷军;张永刚;吕文强;高松信;杜维川;唐淳	申请（专利权）人：	中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号：	H01S5/042	分类号：	H01S5/042;H01S5/024
代理公司：	成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214	代理人：	卿诚
地址：	621000 四川省***	国省代码：	四川;51
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摘要：
搜索关键词：	一种电极半导体激光器
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【权利要求书】：

1.一种多电极半导体激光器，其特征在于：包括多电极半导体激光芯片(1)和热沉(2)；所述多电极半导体激光芯片(1)包括若干个芯片区(3)；所述芯片区(3)包括芯片区正极(4)和芯片区负极(5)；所述热沉(2)包括负极金属化层(6)和若干个互相绝缘的正极金属化层(7)；若干个正极金属化层(7)与若干个芯片区(3)的芯片区正极(4)一一对应；若干个芯片区(3)的芯片区负极(5)和负极金属化层(6)电导通；一一对应的正极金属化层(7)和芯片区正极(4)电导通。

2.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：若干个芯片区(3)的芯片区负极(5)附在负极金属化层(6)上。

3.根据权利要求2所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：一一对应的正极金属化层(7)和芯片区正极(4)通过若干个电极引线(8)相连。

4.根据权利要求3所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：所述热沉(2)还包括基板(9)；所述负极金属化层(6)和若干个正极金属化层(7)设在基板(9)顶面；所述芯片区(3)的顶面为芯片区正极(4)，底面为芯片区负极(5)。

5.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：若干个正极金属化层(7)之间设有第一绝缘间隙(10)。

6.根据权利要求1所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：所述负极金属化层(6)和若干个正极金属化层(7)之间设有第二绝缘间隙(11)。

7.根据权利要求2所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：所述负极金属化层(6)上预置有焊料。

8.根据权利要求4所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：至少一个芯片区(3)的芯片区正极(4)上附有金属次热沉(12)；所述金属次热沉(12)通过若干个电极引线(8)与该芯片区(3)对应的正极金属化层(7)相连。

9.根据权利要求8所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：所述金属次热沉(12)通过预置有焊料附在芯片区正极(4)上。

10.根据权利要求2所述的一种多电极半导体激光器，其特征在于：所述负极金属化层(6)的尺寸超出若干个芯片区(3)的芯片区负极(5)的尺寸。

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