[实用新型]一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构

说明书

本实用新型提供了一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，属于VDMOS技术领域。该提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构包括基础组件和防护组件。所述基础组件包括VDMOS器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述浪涌电压抑制器与所述VDMOS器件本体电性连接。所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧。使用时，将浪涌电压抑制器由外壳顶部开口放入，浪涌电压抑制器两侧底部分别与两侧的限位板接触并带动限位板转动，将浪涌电压抑制器完全按入外壳内腔后，两个限位板在扭簧的作用下从两侧将浪涌电压抑制器底部夹紧，再通过锁紧件将顶盖固定到外壳上将开口封闭即完成组装。本实用新型结构稳定性强，浪涌电压抑制器易于拆装，提高了检修效率。

技术领域

本实用新型涉及VDMOS技术领域，具体而言，涉及一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构。

背景技术

VDMOS器件是一款声效应功率晶体器件，广泛应用于各种领域。VDMOS器件与双极晶体管相比，具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小和频率特性好登优点。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。

现有的VDMOS器件本身在抗雷击浪涌能力方面有所不足，不能满足极端情况下的工作要求，因此常常与浪涌电压抑制器配合使用，而两者的连接结构稳定性较差，不便于拆装，降低了检修效率。

实用新型内容

为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，旨在改善现有的VDMOS器件与浪涌电压抑制器配合使用时稳定性较差，不便于拆装，降低了检修效率的问题。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，包括基础组件和防护组件。

所述基础组件包括VDMOS器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述引脚设置在所述VDMOS器件本体上，所述浪涌电压抑制器与所述VDMOS器件本体电性连接。

所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧，所述VDMOS器件本体和所述浪涌电压抑制器均设置在所述外壳内，所述顶盖通过所述锁紧件固定在所述外壳顶部，所述隔板固定在所述外壳内壁，两个所述限位板分别通过两个所述扭簧转动设置在所述外壳内腔两侧。

在本实用新型的实施例中，所述浪涌电压抑制器为金属氧化物压敏电阻MOV。

在本实用新型的实施例中，所述外壳包括壳体和减震层，所述减震层设置在所述壳体侧壁内部。

在本实用新型的实施例中，所述外壳还包括保护套，所述保护套固定在所述壳体外壁，所述保护套套设在所述引脚上。

在本实用新型的实施例中，所述外壳还包括弹性垫圈，所述弹性垫圈设置在所述壳体顶部开口处。

在本实用新型的实施例中，所述壳体侧壁开设有换气口，所述换气口内固定有防尘网。

在本实用新型的实施例中，所述顶盖上表面开设有凹槽，所述锁紧件顶部下沉式安装于所述凹槽内。

在本实用新型的实施例中，所述限位板包括板体和缓冲垫，所述板体通过所述扭簧与所述壳体内壁转动连接，所述缓冲垫固定在所述板体一侧。

在本实用新型的实施例中，所述防护组件还包括除湿件，所述除湿件固定在所述壳体内壁。

在本实用新型的实施例中，所述除湿件包括网框和吸湿颗粒层，所述网框固定在所述壳体内壁，所述吸湿颗粒层设置在所述网框内。