[发明专利]光学器件的温度控制方法及装置、存储介质及电子装置在审

专利信息
申请号: 202111682742.3 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114296491A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 吴杰;孙帅哲;郑铎;陈贤辉;施建宏;闫大鹏 申请(专利权)人: 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
主分类号: G05D23/20 分类号: G05D23/20
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王晓婷
地址: 430040 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 光学 器件 温度 控制 方法 装置 存储 介质 电子
【说明书】:

发明实施例提供了一种光学器件的温度控制方法及装置、存储介质及电子装置,该方法包括:获取基频光频率变换的目标温度以及目标温度对应的参考温度,其中,目标温度是目标光学器件在实现基频光频率变换的过程中的工作温度,参考温度小于目标温度;获取目标光学器件的当前温度在多个温度范围中所落入的目标温度范围所对应的目标温度控制流程;通过目标温度控制流程,将目标光学器件的温度从当前温度调整至目标温度。通过本发明,解决了用于进行基频光频率变换的光学器件的温度控制效率较低的问题,进而达到了用于进行基频光频率变换的光学器件的温度控制效率的效果。

技术领域

本发明实施例涉及光学领域,具体而言,涉及一种光学器件的温度控制方法及装置、存储介质及电子装置。

背景技术

利用非线性晶体对基频光进行频率变换是实现可见光和紫外光波段激光输出的主流方法。其中非线性晶体一般需要在特定温度下才能实现相位匹配,获得理想的转换效率。非线性晶体的温度必须精确控制,否则会严重影响激光器的转换效率和输出稳定性。现有技术中对于非线性晶体的温度主要通过半导体制冷器控制非线性晶体的温度控制主要是半导体制冷器控制或者加热元件控制温度的温控炉控制,半导体制冷器的控制方式对于达到较高的温度耗时较长,温控炉的方式只能进行加热,当温度超过特定温度的情况下,只能通过散热达到特定温度,不能精准的控制温度,对于非线性晶体的温度控制精度以及稳定性较差,两种方式对于控制非线性晶体到达特定温度的效率较低。

针对相关技术中存在的用于进行基频光频率变换的光学器件的温度控制效率较低的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种光学器件的温度控制方法及装置、存储介质及电子装置,以至少解决相关技术中用于进行基频光频率变换的光学器件的温度控制效率较低的问题。

根据本发明的一个实施例,提供了一种光学器件的温度控制方法,包括:获取基频光频率变换的目标温度以及所述目标温度对应的参考温度,其中,所述目标温度是目标光学器件在实现所述基频光频率变换的过程中的工作温度,所述参考温度小于所述目标温度;

获取所述目标光学器件的当前温度在多个温度范围中所落入的目标温度范围所对应的目标温度控制流程,其中,所述多个温度范围是使用所述目标温度与所述参考温度构造的,所述目标温度控制流程用于指示对多个控温模块的控制过程;

通过所述目标温度控制流程,将所述目标光学器件的温度从所述当前温度调整至所述目标温度。

在一个示例性实施例中,所述获取所述目标光学器件的当前温度在多个温度范围中所落入的目标温度范围所对应的目标温度控制流程,包括:确定所述当前温度在所述多个温度范围中所落入的所述目标温度范围,其中,所述多个温度范围包括:小于所述参考温度,大于所述目标温度,以及大于或者等于所述参考温度并小于所述目标温度;从具有对应关系的温度范围和温度控制流程中获取所述目标温度范围所对应的温度控制流程作为所述目标温度控制流程。

在一个示例性实施例中,所述从具有对应关系的温度范围和温度控制流程中获取所述目标温度范围所对应的温度控制流程作为所述目标温度控制流程,包括:

在所述目标温度范围为小于所述参考温度的情况下,确定所述目标温度控制流程包括控制所述多个控温模块中的第一加热模块开始加热;在所述当前温度加热至大于或者等于所述参考温度并小于所述目标温度的情况下,控制所述第一加热模块停止加热,并控制所述多个控温模块中的第二加热模块开始加热,直至所述当前温度加热至所述目标温度,所述第二加热模块的温度控制精度高于所述第一加热模块的温度控制精度;

在所述目标温度范围为大于所述目标温度的情况下,确定所述目标温度控制流程包括控制所述多个控温模块中的制冷模块开始制冷,直至所述当前温度降低至所述目标温度;

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