[发明专利]阵列基板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202111675446.0 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114326234A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 樊涛;郑浩旋 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括多个扫描线组、多条数据线和多个像素单元,每个所述扫描线组包括相邻设置的第一扫描线和第二扫描线,多个所述扫描线组与多条所述数据线分别垂直交叉以限定多个所述像素单元,其特征在于:

所述第二扫描线通过反相器连接于所述第一扫描线的输入端;

所述像素单元包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和像素电极,所述第一薄膜晶体管的栅极连接于所述第一扫描线,所述第二薄膜晶体管的栅极连接于所述第二扫描线,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极连接于同一条所述数据线,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的漏极连接于所述像素电极;

同一个所述像素单元对应的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管,且所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的类型不同;

连接于同一条所述数据线的多个所述像素单元中,沿同一条数据线方向排布的第n个所述像素单元所连接的所述第二薄膜晶体管,和第n+1个所述像素单元所连接的所述第一薄膜晶体管的有源层共用,其中,n+1的取值为大于等于2,且小于等于连接于同一条所述数据线的所述像素单元的总个数。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括衬底、第一栅极、第二栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、第一漏极、第二漏极,所述有源层形成在所述衬底上,所述栅极绝缘层形成在所述第一栅极和所述第二栅级与所述有源层之间,所述源极通过所述有源层连接于所述第一漏极形成所述第一薄膜晶体管,所述源极通过所述有源层连接于所述第二漏极形成所述第二薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括第一掺杂层、电子迁移层和第二掺杂层,所述源极连接于所述第一掺杂层,所述第一栅极和所述第二栅极分别与所述第一掺杂层、电子迁移层和第二掺杂层在所述衬底上的正投影至少部分重叠,且所述第一栅极和所述第二栅极设置在所述有源层的上方,且在所述衬底上的正投影不重叠,所述第一漏极连接于所述第二掺杂层的一端,所述第二漏极连接于所述第二掺杂层的另一端,且所述第一漏极和所述第二漏极在所述衬底上的正投影不重叠。

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括第一掺杂层、第一电子迁移层、第二电子迁移层、第三掺杂层和第四掺杂层,所述第一电子迁移层、第二电子迁移层分别位于所述第一掺杂层的两侧,所述第三掺杂层位于所述第一电子迁移层远离所述第一掺杂层的一侧,所述第四掺杂层位于所述第二电子迁移层远离所述第一掺杂层的一侧;

所述源极连接于所述第一掺杂层,所述第一漏极连接于所述第三掺杂层,所述第二漏极连接于所述第四掺杂层。

5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层设置在所述数据线下方,且所述有源层和所述数据线在所述衬底上的正投影至少部分重叠;

所述有源层和所述数据线之间设置有绝缘层,所述绝缘层上设置有过孔,所述有源层通过过孔、经由所述源极连接于所述数据线。

6.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,两个相邻的所述扫描线组之间设置有过孔,所述有源层对应所述过孔设置,沿数据线方向排布的第n个扫描线组的第二扫描线对应所述过孔位置向远离所述过孔的方向弯折形成第一弯折部;第n+1个扫描线组的第一扫描线对应所述过孔的位置向远离所述过孔的方向弯折形成第二弯折部。

7.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,同一个扫描线组的第一扫描线和第二扫描线之间设置有一公共电极线,所述有源层与所述公共电极线在所述衬底上的正投影至少部分重叠。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层均与所述公共电极线在所述衬底上的正投影至少部分重叠;且所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层一体成型。

9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描线组中第一扫描线的宽度和第二扫描线的宽度小于所述数据线的宽度。

10.一种显示装置,包括彩膜基板、背光模组和根据权利要求1-9任意一项所述的阵列基板,所述阵列基板和彩膜基板相对设置形成显示面板,所述背光模组设置在所述显示面板的一侧,为所述显示面板提供背光源。

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