[发明专利]一种石墨烯透明导电薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111674620.X | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114230898A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王秋君;朱伟琪;张迪;王波;李昭进;王欢 | 申请（专利权）人： | 河北科技大学 |
| 主分类号： | C08L23/06 | 分类号： | C08L23/06;C08K3/04;C08J5/18;H01B5/14 |
| 代理公司： | 河北国维致远知识产权代理有限公司 13137 | 代理人： | 任青 |
| 地址： | 050018 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
a、甲烷作为碳源与保护气体混合后，进行化学气相沉积反应，在基底上形成石墨烯薄膜；
b、在280℃-300℃的真空条件下使所述石墨烯薄膜与低密度聚乙烯按100:1-1.5的质量比熔融共混，得到共混物；
c、在真空条件下，将所述共混物通过物理气相沉积法制备得到所述石墨烯透明导电薄膜。
2.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述保护气体为氩气。
3.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述甲烷与所述保护气体的体积比为1:3-2:5。
4.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述化学气相沉积反应的温度为900℃-950℃、时间为10min-15min。
5.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤a中，所述基底为单晶硅基底。
6.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤b中，所述低密度聚乙烯的密度为0.90g/cm3-0.95g/cm3；
和/或步骤b中，所述熔融共混的时间为2min-6min。
7.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述物理气相沉积法为溅射镀膜法。
8.如权利要求1所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤c中，所述石墨烯透明导电薄膜的厚度为18μm-22μm。
9.权利要求1-8任一项所述的石墨烯透明导电薄膜的制备方法制得的石墨烯透明导电薄膜。
10.权利要求9所述的石墨烯透明导电薄膜在制备电子触摸屏中的应用。
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