[发明专利]一种MOS管开启电压的测量方法在审
| 申请号: | 202111667264.9 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114578202A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 杨靖;毛渲;陈巍;成家柏 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 夏纯;赵新民 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 mos 开启 电压 测量方法 | ||
1.一种MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,包括:
步骤S1.获取待测MOS管,设所述待测MOS管的源极目标电流为Itarget;
步骤S2.设定所述待测MOS管施加在栅极的电压区间为(Vmin,Vmax),分别量测Vmin、Vmax条件下的源极电流Imin、Imax;
步骤S3.判断Itarget与Imin、Imax的大小关系;
若IminItargetImax时,执行步骤S4;
若ItargetImin或ItargetImax时,提示测试者所述待测MOS管无法在目前的电压区间内正常开启;
步骤S4.在所述待测MOS管的栅极施加电压(Vmin+Vmax)/2,测量所述待测MOS管的源极电流Itmp;
步骤S5.判断Itmp的大小;
当(Itmp-Itarget)a×Itarget时,测量结束,执行步骤S6;
当(Itmp-Itarget)a×Itarget时,判断Itmp与Itarget的大小关系,若ItmpItarget,将Vmin更新为(Vmin+Vmax)/2,循环至步骤S4;若ItmpItarget,将Vmax更新为(Vmin+Vmax)/2,循环至步骤S4;其中,a为预设值;
步骤S6.对更新后最终的Vmin、Vmax、(Vmin+Vmax)/2及对应的源极电流Imin、Imax、Itmp进行曲线拟合,根据Itarget得到曲线上对应的Vtarget,所述Vtarget即为所述待测MOS管的开启电压;或,将(Vmin+Vmax)/2认定为所述待测MOS管的开启电压;或,对更新后最终的Vmin、Vmax及对应的源极电流Imin、Imax进行线性拟合,根据Itarget得到对应的Vtarget,所述Vtarget即为所述待测MOS管的开启电压。
2.根据权利要求1所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,所述步骤S3中,若ItargetImin或ItargetImax时,还包括判断所述待测MOS管是否存在损坏,若是,则结束本次测量。
3.根据权利要求2所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,在判断所述待测MOS管是否存在损坏时,若否,所述步骤S3还包括调整所述待测MOS管施加在栅极的电压区间(Vmin,Vmax)的值,并循环至步骤S2。
4.根据权利要求3所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,所述步骤S3中,循环至步骤S2的循环次数设置为有限次M次,M为预设值。
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