[发明专利]一种MOS管开启电压的测量方法在审

专利信息
申请号: 202111667264.9 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114578202A 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 杨靖;毛渲;陈巍;成家柏 申请(专利权)人: 杭州广立微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 江苏坤象律师事务所 32393 代理人: 夏纯;赵新民
地址: 310012 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 开启 电压 测量方法
【权利要求书】:

1.一种MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,包括:

步骤S1.获取待测MOS管,设所述待测MOS管的源极目标电流为Itarget

步骤S2.设定所述待测MOS管施加在栅极的电压区间为(Vmin,Vmax),分别量测Vmin、Vmax条件下的源极电流Imin、Imax

步骤S3.判断Itarget与Imin、Imax的大小关系;

若IminItargetImax时,执行步骤S4;

若ItargetImin或ItargetImax时,提示测试者所述待测MOS管无法在目前的电压区间内正常开启;

步骤S4.在所述待测MOS管的栅极施加电压(Vmin+Vmax)/2,测量所述待测MOS管的源极电流Itmp

步骤S5.判断Itmp的大小;

当(Itmp-Itarget)a×Itarget时,测量结束,执行步骤S6;

当(Itmp-Itarget)a×Itarget时,判断Itmp与Itarget的大小关系,若ItmpItarget,将Vmin更新为(Vmin+Vmax)/2,循环至步骤S4;若ItmpItarget,将Vmax更新为(Vmin+Vmax)/2,循环至步骤S4;其中,a为预设值;

步骤S6.对更新后最终的Vmin、Vmax、(Vmin+Vmax)/2及对应的源极电流Imin、Imax、Itmp进行曲线拟合,根据Itarget得到曲线上对应的Vtarget,所述Vtarget即为所述待测MOS管的开启电压;或,将(Vmin+Vmax)/2认定为所述待测MOS管的开启电压;或,对更新后最终的Vmin、Vmax及对应的源极电流Imin、Imax进行线性拟合,根据Itarget得到对应的Vtarget,所述Vtarget即为所述待测MOS管的开启电压。

2.根据权利要求1所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,所述步骤S3中,若ItargetImin或ItargetImax时,还包括判断所述待测MOS管是否存在损坏,若是,则结束本次测量。

3.根据权利要求2所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,在判断所述待测MOS管是否存在损坏时,若否,所述步骤S3还包括调整所述待测MOS管施加在栅极的电压区间(Vmin,Vmax)的值,并循环至步骤S2。

4.根据权利要求3所述的MOS管开启电压的测量方法,其特征在于,所述步骤S3中,循环至步骤S2的循环次数设置为有限次M次,M为预设值。

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