[发明专利]一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备有效
| 申请号： | 202111661815.0 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114348957B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 巢炎;黄伟业;李彬 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周雷雷 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交变电场 结合 超声 制备 纳米 结构 设备 | ||
1.一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，包括反应釜和釜端盖，其特征在于：还包括电机、连杆、超声发生器、石墨电极和具有带电金属粒子的腐蚀液；所述的电机固定在釜端盖上；所述的连杆中部与电机的输出轴固定连接；所述连杆的两端均固定有光轴，两根光轴均垂直于连杆布置；每根光轴的下端均固定有石墨电极；三个超声发生器分别装配在反应釜内部的底面和两侧壁面上；一个超声发生器装配在釜端盖的下表面上；所述反应釜内部底面的超声发生器和釜端盖底面的超声发生器为一对，反应釜两侧壁上的两个超声发生器为一对，通过两对超声波发生器形成驻波场；两个石墨电极均与交变电源连接。
2.根据权利要求1所述的一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，其特征在于：所述反应釜的内部底面上开设有矩形槽一；所述反应釜的内部两侧壁面上均开设有矩形槽二；所述釜端盖的下表面上开设有矩形槽三；所述的矩形槽一与矩形槽三正对，两个矩形槽二正对；四个超声发生器分别固定在矩形槽一、两个矩形槽二和矩形槽三中。
3.根据权利要求1所述的一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，其特征在于：所述的连杆与两个光轴通过两个圆环扣固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，其特征在于：所述的釜端盖上开设有两个圆弧槽，两根光轴穿过两个圆弧槽设置。
5.根据权利要求1所述的一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的设备，其特征在于：所述的石墨电极为圆弧状结构。
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