[发明专利]一种用于异形屏的掩膜条结构及其制程方法

权利要求书

1.一种用于异形屏的掩膜条结构，包括金属掩膜条主体（1），其特征在于：所述金属掩膜条主体（1）的两端中部设有开口向外的U型槽（2），所述金属掩膜条主体（1）的表面设有若干组等间距分布的蚀刻区域（3），所述蚀刻区域（3）包括呈圆形设置的有效区域（4）和位于有效区域（4）外侧的呈矩形设置的缓冲区域（5）。

2.根据权利要求1所述的一种用于异形屏的掩膜条结构，其特征在于：所述金属掩膜条主体（1）的厚度为20-30um。

3.根据权利要求1所述的一种用于异形屏的掩膜条结构，其特征在于：所述有效区域（4）采用双面蚀刻工艺，将金属掩膜条主体（1）双面蚀刻后，产生通孔（6），通孔（6）作用是让有机材料通过。

4.根据权利要求1所述的一种用于异形屏的掩膜条结构，其特征在于：所述缓冲区域（5）采用双面蚀刻加单面填充工艺，在缓冲区域（5）正面蚀刻出的凹槽（7）中填充1-3um的阻挡层（8），阻挡层（8）作用是阻挡有机材料的通过。

5.一种权利要求1-4任意一项所述的用于异形屏的掩膜条结构的制程方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

S1、采用金属INVAR36材质制造金属掩膜条主体（1），金属掩膜条主体（1）厚度为20-100um，不设限；

S2、设计第一种有效区域（4）的石英光罩，确认该有效区域（4）形状为目标异形；

S3、设计第二种缓冲区域（5）的石英光罩，确认缓冲区域（5）为异形屏四周的包围层，且包围层的蚀刻面积不设限制；

S4、采用第一种有效区域（4）石英光罩，分别对金属掩膜条主体（1）进行正面、背面蚀刻，确认该区域分布为通孔设计 ；

S5、完成有效区域（4）的通孔（6）蚀刻工艺；

S6、采用第二种缓冲区域（5）石英光罩，首先对金属掩膜条主体（1）进行正面蚀刻，产生凹槽（7），其深度设计在1-3um；

S7、采用第二种缓冲区域（5）石英光罩，对掩膜条缓冲层的凹槽（7）进行光阻填充，其厚度=1-3um；

S8、采用第二种缓冲区域（5）石英光罩，对金属掩膜条主体（1）缓冲层进行背面蚀刻，非通孔工艺结束；

S9、金属掩膜条主体（1）的蚀刻区域（3）的制程工艺结束。