[发明专利]一种毫米波天线

权利要求书

1.一种毫米波天线，其特征在于，包括：第一基片、第二基片以及连接所述第一基片和所述第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；

所述第一基片包括相对设置的第一表面和第二表面，在靠近所述第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离所述第二基片的第一表面设置寄生贴片；

所述第二基片包括相对设置的第一表面和第二表面，在远离所述第一基片的第二表面上设置用于对所述圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近所述第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在所述第二基片上的金属化通孔与所述同轴馈电点连接；在所述第二基片上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，所述限位孔环绕所述金属化通孔；且在所述第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，所述接地图形避开所述限位孔和所述馈点焊盘，在所述第二基片的四周边缘均设有所述限位孔；

所述第一高铅柱连接在所述馈点焊盘与所述圆极化贴片天线之间，所述第二高铅柱一端限位于所述第二基片的限位孔内、另一端连接所述第一基片，在所述第一基片与所述第二基片之间形成空气背腔，所述第一高铅柱设置在由所述第二高铅柱围设成的空气背腔内。

2.如权利要求1所述的毫米波天线，其特征在于，所述同轴馈电点包括4个，且4个所述同轴馈电点之间的相位分别相差90°，180°，270°；所述第二基片的第一表面对应设有4个所述馈点焊盘。

3.如权利要求2所述的毫米波天线，其特征在于，在20GHz频段时，所述高铅柱的高度为1.5~2.5mm。

4.如权利要求2所述的毫米波天线，其特征在于，在30GHz频段时，所述高铅柱的高度为1~1.5mm。

5.如权利要求1所述的毫米波天线，其特征在于，所述第一高铅柱设置在由所述第二高铅柱围设成的空气背腔内，所述空气背腔为圆柱形腔或直棱柱形腔。

6.如权利要求5所述的毫米波天线，其特征在于，所述第一高铅柱或第二高铅柱采用Pb80Sn20材料制作而成，且熔点温度大于280℃。

7.如权利要求1所述的毫米波天线，其特征在于，所述第一基片或所述第二基片的材质为石英基片、陶瓷基片或PCB板。

8.如权利要求7所述的毫米波天线，其特征在于，所述第一基片为石英基片，且所述石英基片的厚度为0.2~0.5mm；

所述第二基片为陶瓷基片，且所述陶瓷基片的厚度为0.2~0.5mm。

9.如权利要求1所述的毫米波天线，其特征在于，所述第二基片的第二表面还设有多个BGA焊球，所述BGA焊球包括与所述同轴馈电点连接的信号焊球和与所述接地图形连接的接地焊球。

10.如权利要求1所述的毫米波天线，其特征在于，所述第一基片上的寄生贴片和圆极化贴片天线，所述第二基片上的接地图形和同轴馈电点均采用薄膜或厚膜工艺制备而成。