[发明专利]直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉在审

专利信息
申请号: 202111639257.8 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114369865A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 丁亚国;李玲玲;梁万亮;马国忠;顾燕滨 申请(专利权)人: 宁夏申和新材料科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 代理人: 孙彦虎
地址: 750000 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 直拉单晶炉 水冷 装置 单晶炉
【说明书】:

发明提供一种直拉单晶炉水冷屏装置,属于提高晶棒收率工艺的技术领域,所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°,当水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为15°/2‑20°时,使得整个热场的温度得到改变,使得晶棒固液界面的中心温度与边缘温度接近,使得晶棒拉出后,晶棒的尾部的截面尽量接近水平,进而晶棒的收率提高。

技术领域

本发明涉及提高晶棒收率工艺技术领域,具体涉及一种直拉单晶炉水冷屏装置及单晶炉。

背景技术

直拉单晶炉中设置有水冷屏装置,用于单晶炉内制造均匀的热场,而水冷屏与单晶炉的中轴线夹角不同时,容易导致拉晶过程中,晶棒的尾部容易凹陷或者凸出,导致晶棒的收率不高。

发明内容

有鉴于此,针对上述不足,有必要提出一种提高晶棒收率的直拉单晶炉水冷屏装置。

还有必要提出一种单晶炉。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种直拉单晶炉水冷屏装置,包括水冷屏,所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2-20°。

优选地,所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2-10°。

优选地,所述水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为25°/2-35°/2。

优选地,所述水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为20°。

优选地,所述水冷屏的侧壁与单晶炉的中轴线夹角为15°/2。

优选地,所述水冷屏的内侧壁设置有凹坑,以形成漫反射,提高拉晶速率。

优选地,所述水冷屏为上下开口的筒状,所述水冷屏的开口上大下小。

优选地,所述凹坑为圆形。

优选地,所述水冷屏的外侧壁两端相对设置固定杆。

一种单晶炉,包括如上所述的直拉单晶炉水冷屏装置。

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

当水冷屏与单晶炉的中轴线夹角为15°/2-20°时,使得整个热场的温度得到改变,使得晶棒固液界面的中心温度与边缘温度接近,使得晶棒拉出后,晶棒的尾部的截面尽量接近水平,进而晶棒的收率提高。

附图说明

图1为单晶炉的剖视图。

图2为水冷屏的结构示意图。

图中:导流筒100、水冷屏200、凹坑210、圆环形护套220、固定杆230。

具体实施方式

以下结合本发明的附图,对本发明实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。

请参看图1至图2,一种直拉单晶炉水冷屏装置,包括水冷屏200,所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为15°/2-20°。

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:

当水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为15°/2-20°时,使得整个热场的温度得到改变,使得晶棒固液界面的中心温度与边缘温度接近,使得晶棒拉出后,晶棒的尾部的截面尽量接近水平,进而晶棒的收率提高。

进一步的,所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为15°/2-10°。

进一步的,所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为25°/2-35°/2。

进一步的,所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为20°。

进一步的,所述水冷屏200与单晶炉的中轴线夹角a为15°/2。

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