[发明专利]含芳基的甘脲类低聚物与应用

说明书

本发明适用于光刻胶技术领域，提供了一种含芳基的甘脲类低聚物与应用，该含芳基的甘脲类低聚物的结构式为：其中，R1由苯环数在20以内的芳基与碳原子数在20以内的烷基、烷氧基或两个甘脲分子偶联得到，R2、R3为苯环数在20以内的芳基或碳原子数在20以内的烷基。本发明所述的含芳基的甘脲类低聚物作为光刻胶的交联剂，通过改变含芳基的甘脲类低聚物中芳基比例，可以方便的调整n/k值，大大降低BARC产品在n/k值方面的调整难度，能极大提高光刻工艺的吸光性能，具有较大的应用前景。

技术领域

本发明属于光刻胶技术领域，尤其涉及一种含芳基的甘脲类低聚物与应用。

背景技术

芯片主要通过光刻、刻蚀、封装等工序制作完成。其中，光刻工艺在整个芯片制造中占据重要地位，是实现光刻胶和衬底图案化的关键工序：首先将光刻胶涂覆在衬底上，烘烤除去溶剂，然后通过掩膜版曝光或电子束直写，诱导曝光部分发生化学反应，最后用显影液洗去可溶部分，得到3D光刻胶图形。其中，光刻胶涂覆在衬底上之前，还需在衬底和光刻胶之间增加抗反射涂层(Bottom Anti-Reflection Coating,BARC)以提高光刻工艺中线宽解析度。

目前，由于抗反射涂层的刻蚀速率取决于光刻胶的刻蚀速率和刻蚀工艺，而在进行光刻工艺时，通常需要在抗反射涂层加入大量的苯环以调整抗反射涂层的n/K值，常常导致光刻胶的完成刻蚀后，抗反射涂层仍未完成刻蚀，从而极大地降低了抗反射涂层的刻蚀速率。

发明内容

本发明实施例提供一种含芳基的甘脲类低聚物与应用，旨在解决现有技术中在调整抗反射涂层的n/K值后，抗反射涂层的刻蚀速率较低的技术问题。

本发明实施例是这样实现的，一种含芳基的甘脲类低聚物，其结构式为：

其中，R1由苯环数在20以内的芳基与碳原子数在20以内的烷基、烷氧基或两个甘脲分子偶联得到，R2、R3为苯环数在20以内的芳基或碳原子数在20以内的烷基。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，R1由苯环数在20以内的芳基与碳原子数在20以内的烷基或烷氧基偶联得到。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，R2、R3为氢、苯环数均在20以内的芳基或碳原子数在20以内的烷基。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，碳原子数在20以内的烷基为羟基取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、环己基、取代环己基、降冰片基、取代降冰片基、金刚烷基、取代金刚烷基或其它多环结构中的一种或多种。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，碳原子数在20以内的烷氧基为醚基、酯基、环氧基中的一种或多种。

更优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，R1中的烷基、烷氧基的数量比为(0.1-3.9)：(0.1-3.9)。

更优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物中，所述R1中的烷基、烷氧基偶联的数量比为(0.1-3.9)：(0.1-3)。

本发明实施例还提供一种含芳基的甘脲类低聚物的应用，在上述所述的含芳基的甘脲类低聚物中加入稀释剂，得到应用于抗反射涂层的甘脲类低聚物溶液。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物的应用中，所述稀释剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙二醇、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。

优选地，在所述的含芳基的甘脲类低聚物的应用中，所述甘脲类低聚物溶液的浓度为33-36％。