[发明专利]含芳基的甘脲类低聚物与应用在审
申请号: | 202111634300.1 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114315841A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 顾大公;夏力;马潇;陈鹏;许从应;毛智彪 | 申请(专利权)人: | 宁波南大光电材料有限公司 |
主分类号: | C07D487/04 | 分类号: | C07D487/04;C09D5/00;G03F7/004 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 315800 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含芳基 甘脲类低聚物 应用 | ||
1.一种含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,其结构式为:
其中,R1由苯环数在20以内的芳基与碳原子数在20以内的烷基、烷氧基或两个甘脲分子偶联得到,R2、R3为苯环数在20以内的芳基或碳原子数在20以内的烷基。
2.根据权利要求1所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,R1由苯环数在20以内的芳基与碳原子数在20以内的烷基或烷氧基偶联得到。
3.根据权利要求1所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,R2、R3为氢、苯环数均在20以内的芳基或碳原子数在20以内的烷基。
4.根据权利要求1所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,碳原子数在20以内的烷基为羟基取代的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、环己基、取代环己基、降冰片基、取代降冰片基、金刚烷基、取代金刚烷基或其它多环结构中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,碳原子数在20以内的烷氧基为醚基、酯基、环氧基中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,R1中的烷基、烷氧基的数量比为(0.1-3.9):(0.1-3.9)。
7.根据权利要求6所述的含芳基的甘脲类低聚物,其特征在于,所述R1中的烷基、烷氧基偶联的数量比为(0.1-3.9):(0.1-3)。
8.一种含芳基的甘脲类低聚物的应用,其特征在于,在权利要求1-7中任意一项所述的含芳基的甘脲类低聚物中加入稀释剂,得到应用于抗反射涂层的甘脲类低聚物溶液。
9.根据权利要求8所述的含芳基的甘脲类低聚物的应用,其特征在于,所述稀释剂为甲醇、乙醇、异丙醇、丙二醇、丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、γ-丁内酯、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的含芳基的甘脲类低聚物的应用,其特征在于,所述甘脲类低聚物溶液的浓度为33-36%。
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