[发明专利]一种量子点光转换模组、微LED显示器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111630053.8 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114335293A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 王建太;邹胜晗;龚政;郭婵;潘章旭;陈志涛 申请(专利权)人: 广东省科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L27/15
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 宋南
地址: 510651 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 转换 模组 led 显示器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点光转换模组,其特征在于,包括单色LED阵列芯片以及在所述单色LED阵列芯片的出光侧依次设置的黑矩阵和层叠设置的多个光转换组,所述黑矩阵将所述单色LED阵列芯片划分为多个像素单元,每个所述像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元;每个所述光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层,所述量子点层包括与所述第一子像素单元对应的第一量子点材料以及与所述第二子像素单元对应的第二量子点材料,所述单色光与所述第一量子点材料经过光转换后以第一色光出射,所述单色光与所述第二量子点材料经过光转换后以第二色光出射。

2.根据权利要求1所述的量子点光转换模组,其特征在于,所述单色LED阵列芯片出射的单色光为蓝光,所述蓝光与所述第一量子点材料经过光转换后以红光出射,所述蓝光与所述第二量子点材料经过光转换后以绿光出射。

3.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组,其特征在于,所述高透光层包括对应设置于所述第一子像素单元、所述第二子像素单元和所述第三子像素单元的出光侧的高透光材料。

4.根据权利要求3所述的量子点光转换模组,其特征在于,所述量子点层还包括与所述第三子像素单元对应的补偿材料,所述补偿材料为高透光材料。

5.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组,其特征在于,所述量子点层的厚度在10nm-200nm之间;所述高透光层的厚度小于等于1μm。

6.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组,其特征在于,所述第一量子点材料和/或所述第二量子点材料为有机量子点或无机量子点。

7.根据权利要求1或2所述的量子点光转换模组,其特征在于,层叠设置的多个所述光转换组的总厚度在5-10μm之间。

8.一种微LED显示器,其特征在于,包括如权利要求1-6任意一项所述的量子点光转换模组。

9.根据权利要求8所述的微LED显示器,其特征在于,在远离单色LED阵列芯片的光转换组的量子点层上设置有平坦层,所述平坦层为高透光材料。

10.一种微LED显示器的制备方法,其特征在于,包括:

在单色LED阵列芯片的出光侧设置黑矩阵,所述黑矩阵将所述单色LED阵列芯片界定为多个像素单元,每个所述像素单元包括用于分别出射单色光的第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元;

在形成有所述黑矩阵的所述单色LED阵列芯片的出光侧层叠设置多个光转换组,所述光转换组包括依次形成的高透光层和量子点层,其中,所述量子点层至少包括对应于所述第一子像素单元的第一量子点材料和对应于所述第二子像素单元的第二量子点材料;

在远离所述单色LED阵列芯片的光转换组的量子点层上设置平坦层,所述平坦层为高透光材料。

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