[发明专利]化学机械抛光设备的调度方法、装置及化学机械抛光设备在审
申请号: | 202111625689.3 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN114219355A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 贾若雨;杨旭;孟晓云;刘志伟;周庆亚;李久芳;白琨 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | G06Q10/06 | 分类号: | G06Q10/06;G06Q50/04 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 林韵英 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 设备 调度 方法 装置 | ||
本发明公开了化学机械抛光设备的调度方法、装置及化学机械抛光设备,抛光设备包括双侧传递的多个抛光头,该方法包括:获取多个抛光头的调度流程;从调度流程中提取多个抛光头在下一时刻的动作执行信息;根据动作执行信息筛选在下一时刻存在位置重叠的抛光头;根据存在位置重叠抛光头所执行动作的优先级对存在位置重叠的抛光头所对应的调度流程进行调整。本发明通过对抛光头的行为动作进行预判从而调整的调度流程,有效避免了因抛光头工作协调问题可能发生的撞击问题,同时双侧多抛光头可以通过多种组合方式按照调度流程执行动作,有效提高了晶圆在抛光过程中的动作执行效率。
技术领域
本发明涉及晶圆抛光技术领域,具体涉及化学机械抛光设备的调度方法、装置及化学机械抛光设备。
背景技术
随着集成电路制造技术的突飞猛进,IC芯片朝着微细化和互联多层化不断发展,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,,简称CMP)工艺成为集成电路制造的核心技术,CMP设备主要用于CMP工艺中,实现晶圆表面平坦化。CMP设备抛光部分的调度效率及可靠性直接决定了CMP设备的效率及长时间稳定运行。CMP工艺成为集成电路制造的核心技术,CMP设备主要用于CMP工艺中,实现晶圆表面平坦化。抛光部分作为CMP设备的核心功能,需实现安全高效的晶圆传递。
现在已有的技术方案包括使用Cross旋转进行晶圆传递、单侧顺序传递和双侧传递。使用Cross旋转进行晶圆传递的方案,由于Cross转动需要带动所有的抛光头,因此效率较低,无法并发执行。使用单侧顺序传递的方案,无法同时加工较多的晶圆,效率较低双侧传递效率最高,但是在使用双侧多抛光头传递的方案时,可能会存在抛光头工作协调性不好可能发生撞击、影响传递效率等问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供了一种化学机械抛光设备的调度方法,以解决采用双侧多抛光头传递的方案在晶圆传递过程中抛光头的协调性差、影响传递效率的问题。
为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明实施例提供了一种化学机械抛光设备的调度方法,所述抛光设备包括双侧传递的多个抛光头,所述方法包括:
获取多个抛光头的调度流程;
从所述调度流程中提取多个抛光头在下一时刻的动作执行信息;
根据所述动作执行信息筛选在下一时刻存在位置重叠的抛光头;
根据存在位置重叠抛光头所执行动作的优先级对存在位置重叠的抛光头所对应的调度流程进行调整。
可选的,所述根据存在位置重叠抛光头所执行动作的优先级对存在位置重叠的抛光头所对应的调度流程进行调整,包括:
从所述调度流程中提取所述存在位置重叠的抛光头执行的动作;
根据预设的优先级顺序对所述动作进行排序,得到动作优先级序列;
根据所述动作优先级序列依次增加存在位置重叠的抛光头的动作延时。
可选的,所述根据所述动作优先级序列依次增加存在位置重叠的抛光头的动作延时,包括:
将所述动作优先级序列中优先级最高的动作对应的动作时延为0;
根据所述动作优先级序列依次提取当前优先级的第一动作对应的第一动作执行时间及第一动作时延;
基于所述第一动作执行时间和所述第一动作时延确定下一优先级的第二动作对应的第二动作时延。
可选的,所述从所述调度流程中提取所述存在位置重叠的抛光头执行的动作,包括:
获取发生位置重叠的时间信息和重叠位置信息;
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