[发明专利]一种测试差分存储结构芯片余量的方法

权利要求书

1.一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、当差分存储结构芯片中左边cell为erase cell，右边cell为program cell时，在右边的电流支路增加一个外加的第一电流支路，右边的电流就变成program cell+第一外部电流，简写为ip+iex，ip+iex大于erase cell时，read出的数据fail，此时iex就是ie和ip的电流差，第一外部电流就是所需的erase cell和program cell电流的差值，也就是差分结构存储cell的余量；

S2、当差分存储结构芯片中左边cell为program cell，右边cell为erase cell时，在左边的电流支路增加一个外加的第二电流支路，左边的电流就变成program cell+第二外部电流，简写为ip+iex，ip+iex大于erase cell时，read出的数据fail，此时iex就是ie和ip的电流差，第二外部电流就是所需的erase cell和program cell电流的差值，也就是差分结构存储cell的余量。

2.根据权利要求1所述的一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于：所述差分存储结构芯片中1bit数据是由2个cell差分组成，所述cell为存储单元，当这两个cell中左边位置是program cell，右边位置是erase cell时，这个bit代表数据1；反之，当这两个cell中左边位置是erase cell，右边位置是program cell时，这个bit代表数据0。

3.根据权利要求1所述的一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于：所述差分存储结构芯片中有电流的单元erase cell，代表数据0；没有电流的单元program cell，代表数据1。

4.根据权利要求3所述的一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于：所述的差分存储结构芯片中erase cell和program cell电流的差值即为所述差分存储结构芯片的真正余量。

5.根据权利要求1所述的一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于：所述read出的数据fail的过程中，当ip+iex小于ie时，read pass。

6.根据权利要求5所述的一种测试差分存储结构芯片余量的方法，其特征在于：所述电流支路通过导线与差分存储结构芯片电性连接。