[发明专利]一种宽谱可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：包括分别设于所述激光器两端的第一反射区(1)以及第二反射区(2)，所述第一反射区(1)和第二反射区(2)之间设有总增益区(3)，所述总增益区(3)包括若干个子增益区(31)，若干个所述子增益区(31)之间并行设置。

2.根据权利要求1所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：若干个所述子增益区(31)上均分别设有增益电极(4)，所述增益电极(4)之间独立设置。

3.根据权利要求1所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：若干个所述子增益区(31)与所述第二反射区(2)之间设有相位调节区(5)，所述相位调节区(5)上设有用于实现相位调节区(5)电注入的调相电极(6)。

4.根据权利要求3所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：所述相位调节区(5)与若干个子增益区(31)之间通过弧形波导或直波导连接。

5.根据权利要求3所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：所述第一反射区(1)、第二反射区(2)、总增益区(3)以及相位调节区(5)之间均设有电隔离区(7)。

6.根据权利要求5所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：所述电隔离区(7)设置为蚀刻狭槽。

7.根据权利要求1所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：所述第二反射区(2)包括第一反射镜(21)和第二反射镜(22)。

8.根据权利要求2所述的一种宽谱可调谐半导体激光器，其特征在于：所述子增益区(31)上还设有信号获取组件(8)，所述信号获取组件(8)与同一子增益区(31)上的增益电极(4)连接、用于监控光电流输出功率。