[发明专利]集成电路及其钳位电路

说明书

本申请提供了一种集成电路及其钳位电路，钳位电路包括偏置模块、驱动模块及钳位电压产生模块；所述偏置模块包括第一偏置单元，所述第一偏置单元与所述驱动模块电连接；所述第一偏置单元用于接入所述集成电路的偏置电流产生电路；当检测到所述集成电路的上电复位信号为高电平时，控制所述第一偏置单元基于由所述偏置电流产生电路产生的第一静态电流来给所述驱动模块提供偏置电流以使所述钳位电压产生模块产生钳位电压。本申请的钳位电路能够通过仅消耗较小的静态电流输出稳定的钳位电压，降低了整体集成电路的功耗。

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，特别涉及一种集成电路及应用于集成电路的低功耗钳位电路。

背景技术

随着集成电路技术的发展，对芯片的功耗和面积的要求越来越高。在半导体制程工艺中，耐压越高的器件面积越大，如果外部输入电压较高，需要内部都采用高耐压器件，这样会很大程度上增加芯片面积。

为了减小芯片面积，尽量多使用低压器件，此时，需要使用钳位电路，将外界输入的高电压转化成低电压，供给后续低压器件供电。对钳位电路的要求是，在外部输入电压变化的情况下，输出一个较稳定的钳位电压，同时能输出足够大的功率。在很多时候，为了保证电路有足够的输出能力，钳位电路也需要消耗较多的电流，导致会增加整体电路的功耗。

发明内容

本申请的主要目的在于，提供一种集成电路及其钳位电路，以改善现有技术中存在的上述缺陷。

本申请是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

作为本申请的一方面，提供一种集成电路的钳位电路，包括偏置模块、驱动模块及钳位电压产生模块；

所述偏置模块包括第一偏置单元，所述第一偏置单元与所述驱动模块电连接；

所述第一偏置单元用于接入所述集成电路的偏置电流产生电路；

当检测到所述集成电路的上电复位信号为高电平时，控制所述第一偏置单元基于由所述偏置电流产生电路产生的第一静态电流来给所述驱动模块提供偏置电流以使所述钳位电压产生模块产生钳位电压。

作为可选实施方式，所述第一偏置单元包括第一MOS管(场效应管)、第二MOS管、第三MOS管、第一使能MOS管及第二使能MOS管；

所述第一MOS管用于接入所述集成电路的偏置电流产生电路；

所述第一MOS管通过所述第一使能MOS管与所述第二MOS管相连，所述第二MOS管通过所述第二使能MOS管与所述第三MOS管相连；

所述第三MOS管与所述驱动模块相连。

作为可选实施方式，所述偏置模块还包括反相器；

所述反相器与所述第一偏置单元相连，并且用于接收所述上电复位信号。作为可选实施方式，所述偏置模块还包括第二偏置单元及驱动MOS管所述第二偏置单元包括第四MOS管及电阻；

所述第四MOS管与所述反相器相连；

所述第四MOS管通过所述电阻与所述驱动MOS管相连；

所述驱动MOS管用于接入所述集成电路的电源。

作为可选实施方式，所述第四MOS管为NMOS管(N型MOS管)，所述驱动MOS管为PMOS管(P型MOS管)。

作为可选实施方式，所述第一MOS管为PMOS管，所述第二MOS管及所述第三MOS管均为栅漏短接的NMOS管。

作为可选实施方式，所述第二MOS管的栅宽长比与所述第三MOS管的栅宽长比呈比例关系，所述栅宽长比为栅宽与栅长的比值。

作为可选实施方式，所述驱动模块为PMOS管。