[发明专利]一种去除离子束刻蚀系统颗粒的方法和装置

权利要求书

1.一种去除离子束刻蚀系统颗粒的装置，其特征在于，是在离子束刻蚀系统反应腔（17）增设一层金属栅网c（12），同时该栅网c连接至直流电源产生一个正电压。

2.根据权利要求1所述的一种去除离子束刻蚀系统颗粒的装置，其特征在于，栅网两端开螺纹孔通过绝缘件固定在反应腔内壁。

3.根据权利要求1或者2所述的一种去除离子束刻蚀系统颗粒的装置，其特征在于，所述的金属栅网c（12）设置在反应腔（17）腔体的底部，所述金属栅网c的材质是坚硬金属，网孔在5mm以下。

4.根据权利要求3所述的一种去除离子束刻蚀系统颗粒的装置，其特征在于，所述的金属栅网c的材质是钼或者镍，其形状是圆形，方形或不规则形状。

5.基于权利要求1所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的装置的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：

（1）当刻蚀工艺完毕后，需要处理刻蚀系统颗粒时，首先将离子束刻蚀系统的离子源断开，然后将下电极旋转至垂直于栅网c（12）的位置；

（2）打开中和器，中和器产生的大量电子会附着在需要去除的颗粒物上，使原本溅射在反应腔内的各种颗粒带上负电；

（3）栅网c（12）通过直流电源c（16）施加一个正电压，此时带负电的颗粒会在电场的作用下向着栅网c方向移动；

（4）栅网c下面为分子泵的抽气孔，此时颗粒物会穿过栅网c的网孔，被分子泵抽走，排出腔外，快速有效去除颗粒，防止反应腔内部颗粒的沉积。

6.根据权利要求5所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：步骤（3）中，所施加正电压的电压值根据需清除颗粒物的大小在100kv以内调节。

7.根据权利要求5所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：步骤（1）中的下电极为离子束刻蚀系统晶圆的载台，其本身可以自转公转来改变离子束入射角，实现两侧不同角度刻蚀，去除颗粒时，将其旋转90°至垂直于栅网c的位置。

8.根据权利要求5所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：步骤（2）中的中和器为是射频中和器、热阴极中和器、空心阴极中和器或者电子回旋共振中和器。

9.根据权利要求5所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：去除颗粒的效率通过提高中和器产生电子的数量，提高直流电源c的电压数值来提升。

10.根据权利要求5所述的去除离子束刻蚀系统颗粒的方法，其特征在于：步骤（1）的刻蚀过程，是通过电感耦合方式将放电腔（7）内通入的气体电离产生等离子体，直流电源a经过滤波器a给栅网a（10）施加一个正电压用于加速吸引等离子体中的电子，给等离子体赋能，等离子体中的正离子在鞘层电压的作用下穿过栅网a（10）；

直流电源b（11）经过滤波器b给栅网b施加一个负电压，穿过栅网a的正离子在该负电场的作用下加速穿过栅网b形成离子束，离子束再经过中和器（15）电子的中和，最后以一定的能量和角度轰击在下电极表面的晶圆上，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的。