[发明专利]一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下向上的顺序依次包括衬底层、布拉格反射层、第一键合层、第二键合层、压电层和电极层；所述电极层的宽度小于所述压电层；所述谐振器还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层分别包围所述第一键合层和所述第二键合层设置，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层内分别设有若干个水平排列的第一空气孔和若干个水平排列的第二空气孔；若干个所述第一空气孔与若干个所述第二空气孔一一对应并相通；所述压电层材料为AlN或者铌酸锂。

2.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述布拉格反射层为2层以上结构，由钼层和氧化硅层形成。

3.根据权利要求2所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述布拉格反射层的层数为9层。

4.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一键合层和所述第二键合层的材料分别为Au和Sn，厚度在100～700

nm之间。

5.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的厚度在100～700nm之间。

6.根据权利要求1所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一空气孔和所述第二空气孔呈水平阵列排布。

7.根据权利要求6所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一空气孔和所述第二空气孔的数量为2个以上。

8.根据权利要求6或7所述的一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：

所述第一空气孔和所述第二空气孔中，相邻空气孔之间的间距为声波波长的四分之一。

9.权利要求1～8任意一项所述的一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)准备2个衬底层：第一衬底层和第二衬底层，首先在第一衬底层表面制备布拉格反射层；

(2)在布拉格反射层上面磁控溅射第一键合层并进行图形化处理，在第一键合层周围制备第一氧化硅层，并在第一氧化硅层中制备周期性排列的第一空气孔；

(3)在第二衬底层表面制备AlN压电层或者铌酸锂压电层；

(4)在压电层上表面磁控溅射第二键合层并进行图形化处理，在第二键合层周围制备第二氧化硅层，并在第二氧化硅层中制备周期性排列的第二空气孔，第二空气孔的位置与第一空气孔对应；

(5)将步骤(4)的元件通过第二键合层以倒装方式与步骤(2)元件的第一键合层进行键合；

(6)移除第二衬底层，并磁控溅射顶部电极层，即得。

10.一种电子元件，其特征在于：包括权利要求1～8任意一项所述的单晶薄膜体声波谐振器或者权利要求9所述的制备方法获得的单晶薄膜体声波谐振器。