[发明专利]一种悬臂件的处理方法

说明书

本发明涉及机械加工技术领域，公开了一种悬臂件的处理方法，通过在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，并以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，最后向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层，这样，DLC层的内应力能够通过Si过渡层、SiC缓冲层过渡缓冲得到释放，从而减小DLC层的内应力，进而改善悬臂件的应力情况，同时增强了悬臂件与DLC层的结合力，以及各个膜层之间的结合力，制得的DLC层均匀性好、表面平整。

技术领域

本发明涉及机械加工技术领域，特别是涉及一种悬臂件的处理方法。

背景技术

目前，半导体制造领域中，悬臂件通常是磁头等滑块半导体的载体，悬臂件能够使半导体通过电连接，而实现其三维运动。悬臂件在加工过程中，会遇到由其切割、塑型而产生的内应力影响而造成的型变，该应力是有害的，其残存在悬臂件内，严重影响工件的疲劳强度、耐腐蚀性能以及工件的精度，使工件在服役过程中产生变形和开裂，进而影响工件的使用寿命，因此对工件残余应力的消除，对于进一步完善工件制造工艺以及保证工件使用安全具有重大意义。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种悬臂件的处理方法，其能够改善悬臂件的应力情况。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种悬臂件的处理方法，包括：

在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层；

以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层；

向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层。

作为优选方案，在所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层之前，还包括：

采用乙醇对悬臂件进行超声清洗；

将超声清洗后的悬臂件放入去离子水中漂洗；

将漂洗后的悬臂件用氮气吹干。

作为优选方案，在所述将漂洗后的悬臂件用氮气吹干之后，还包括：

用细砂纸将悬臂件抛光；

将抛光后的悬臂件浸入混合酸液中；

取出浸泡后的悬臂件，并将其放入真空室的样品台；

对真空室抽真空至3.0×10^-3pa，并通入氩气，使真空室中的气压达到2～3Pa，在悬臂件上施加-100V的偏压，以使辉光放电形成的氩等离子体悬臂件进行溅射；

以石墨、Ti、Si和Cu中的至少一种作为靶材，对悬臂件进行溅射，溅射时间为5min。

作为优选方案，所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，具体包括：

调整真空室中的氩气压强至10^-1～10^-2Pa，将悬臂件加热至200～220℃，并以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层，电源功率为500W，负偏压为-500V。

作为优选方案，以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层的溅射时间为20-25min。

作为优选方案，所述以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，具体包括：

调整真空室中的氩气压强至10Pa，氩气气流为118sccm，并在悬臂件上施加-150V的偏压；

调整真空室中的氩气压强至10^-1～10^-2Pa，以石墨靶和Si靶为靶材，设定溅射电流为2A，温度为220℃，以在沉积Si过渡层后的悬臂件上形成SiC缓冲层。