[发明专利]一种悬臂件的处理方法

权利要求书

1.一种悬臂件的处理方法，其特征在于，包括：

在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层；

以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层；

向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层。

2.如权利要求1所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层之前，还包括：

采用乙醇对悬臂件进行超声清洗；

将超声清洗后的悬臂件放入去离子水中漂洗；

将漂洗后的悬臂件用氮气吹干。

3.如权利要求2所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，在所述将漂洗后的悬臂件用氮气吹干之后，还包括：

用细砂纸将悬臂件抛光；

将抛光后的悬臂件浸入混合酸液中；

取出浸泡后的悬臂件，并将其放入真空室的样品台；

对真空室抽真空至3.0×10^-3pa，并通入氩气，使真空室中的气压达到2～3Pa，在悬臂件上施加-100V的偏压，以使辉光放电形成的氩等离子体悬臂件进行溅射；

以石墨、Ti、Si和Cu中的至少一种作为靶材，对悬臂件进行溅射，溅射时间为5min。

4.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，具体包括：

调整真空室中的氩气压强至10^-1～10^-2Pa，将悬臂件加热至200～220℃，并以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层，电源功率为500W，负偏压为-500V。

5.如权利要求4所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，以Si靶为靶材在悬臂件上溅射Si过渡层的溅射时间为20-25min。

6.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，具体包括：

调整真空室中的氩气压强至10Pa，氩气气流为118sccm，并在悬臂件上施加-150V的偏压；

调整真空室中的氩气压强至10^-1～10^-2Pa，以石墨靶和Si靶为靶材，设定溅射电流为2A，温度为220℃，以在沉积Si过渡层后的悬臂件上形成SiC缓冲层。

7.如权利要求1-3任一项所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层，具体包括：

调整真空室中的氩气压强至10Pa，氩气气流为118sccm，并在悬臂件上施加-150V的偏压；

向真空室中通入氩气和甲烷，调节压强为0.65×10^-3～5×10^-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400V负偏压；

以石墨靶为靶材，打开靶溅射电源，用脉冲电压溅射石墨靶，电压为100～250V，以在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上形成DLC层。

8.如权利要求7所述的悬臂件的处理方法，其特征在于，所述向真空室中通入氩气和甲烷，调节压强为0.65×10^-3～5×10^-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400V负偏压，具体包括：

向真空室中通入气流量为5～10sccm的氩气以及气流量为10～20sccm的甲烷，调节压强为0.65×10^-3～5×10^-3pa，设定温度为250～300℃，在悬臂件上施加-150～-400V负偏压。