[发明专利]一种吸附装置及晶圆巨量转移设备在审
| 申请号: | 202111592188.X | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN114334777A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 喻泷 | 申请(专利权)人: | 深圳鼎晶科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 蒋学超 |
| 地址: | 518108 广东省深圳市南山区西丽街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 吸附 装置 巨量 转移 设备 | ||
1.一种吸附装置,其特征在于,包括负压装置、接头以及吸附板;所述吸附板包括吸附区域以及转移区域,所述吸附区域围绕分布于所述转移区域的四周;所述吸附区域包括多个吸附孔以及气路,多个所述吸附孔设于所述气路中;所述接头分别与所述气路以及所述负压装置连接。
2.根据权利要求1所述的吸附装置,其特征在于,所述吸附板包括定位孔,所述定位孔设于所述转移区域的一侧,所述气路包括主干气路、第一分支气路、连接气路以及第二分支气路,所述主干气路一端与所述接头连接,所述主干气路另一端与所述第一分支气路连接,所述连接气路分别于所述第一分支气路以及所述第二分支气路连接,所述第一分支气路以及所述第二分支气路分别位于所述定位孔的两侧。
3.根据权利要求2所述的吸附装置,其特征在于,所述第一分支气路的数量为多个,多个所述第一分支气路均与所述主干气路以及所述连接气路连接。
4.根据权利要求3所述的吸附装置,其特征在于,所述第二分支气路的数量为多个,多个所述第一分支气路均与所述连接气路连接。
5.根据权利要求4所述的吸附装置,其特征在于,多个所述吸附孔间隔排列分别设于两所述第一分支气路以及两所述第二分支气路中。
6.根据权利要求1所述的吸附装置,其特征在于,所述吸附板还包括设备安装区域,所述设备安装区域设于所述吸附区域外。
7.根据权利要求6所述的吸附装置,其特征在于,所述设备安装区域包括多个固定孔以及多个设备孔,多个所述固定孔以及多个所述设备孔均穿过所述吸附板。
8.根据权利要求1所述的吸附装置,其特征在于,所述负压装置为真空泵。
9.根据权利要求1所述的吸附装置,其特征在于,所述接头为气动快速接头。
10.一种晶圆巨量转移设备,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的吸附装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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