[发明专利]硅光器件的制造方法、硅光器件及光子集成线路在审
申请号: | 202111590901.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114325931A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 付红岩;毛思梅;程理荣 | 申请(专利权)人: | 清华大学深圳国际研究生院 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 洪铭福 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 制造 方法 光子 集成 线路 | ||
1.硅光器件的制造方法,其特征在于,所述硅光器件包括两个输入波导、两个输出波导和由多个像素块组成的矩形模块,所述输入波导与所述输出波导相对设置于矩形模块的两侧,所述矩形模块用于对由所述输入波导输入的信号进行处理;
其中,所述硅光器件的制造方法包括:
获取目标传输矩阵;
将所述目标传输矩阵输入到结构生成模型中进行预测以得到二维码结构;
根据所述二维码结构对所述矩形模块进行刻蚀处理。
2.根据权利要求1所述的硅光器件的制造方法,其特征在于,所述将所述目标传输矩阵输入到结构生成模型中进行预测以得到二维码结构之前,所述方法还包括生成所述结构生成模型,具体包括:
通过预训练模型对预测二维码结构进行预测处理,以得到预测传输矩阵;
根据目标传输矩阵、所述预测传输矩阵获取损失函数;
对所述损失函数进行计算以得到损失值;
根据所述损失值对所述预训练模型进行训练处理,以得到所述结构生成模型。
3.根据权利要求2所述的硅光器件的制造方法,其特征在于,所述根据所述损失值对所述预训练模型进行训练处理,以得到结构生成模型,包括:
将所述损失值作为反向传播量,调整所述预训练模型的模型参数,以训练所述预训练模型,得到所述结构生成模型;其中所述模型参数包括权重值。
4.根据权利要求1所述的硅光器件的制造方法,其特征在于,所述根据所述二维码结构对所述矩形模块进行刻蚀处理,包括:
获取所述二维码结构;
根据所述二维码结构对所述矩形模块中对应的所述像素块进行刻蚀处理。
5.根据权利要求4所述的硅光器件的制造方法,其特征在于,所述根据所述二维码结构对所述矩形模块中对应的所述像素块进行刻蚀处理,包括:
若所述二维码结构的码值为1,则将对应的所述像素块进行刻蚀以形成凹槽,并对所述凹槽进行填充;
若所述二维码结构的码值为0,则对应的所述像素块不进行刻蚀处理。
6.硅光器件,其特征在于,包括:
矩形模块,所述矩形模块包括多个像素块;其中,所述矩形模块用于对输入信号进行处理,所述矩形模块与二维码结构对应的所述像素块的中心开设有凹槽;
两个输入波导,所述输入波导与所述矩形模块的一侧连接,用于接收所述输入信号;
两个输出波导,所述输出波导与所述矩形模块远离所述输入波导的一侧连接,用于输出经过所述矩形模块处理后的所述输入信号。
7.根据权利要求6所述的硅光器件,其特征在于,所述凹槽为圆柱形,所述凹槽内设置填充有二氧化硅材料。
8.根据权利要求7所述的硅光器件,其特征在于,所述凹槽的尺寸小于所述像素块的尺寸。
9.根据权利要求6所述的硅光器件的制造方法,其特征在于,所述像素块的尺寸小于输入波长的三分之一。
10.光子集成线路,其特征在于,包括根据权利要求6至9中任一项所述的硅光器件。
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