[发明专利]硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法

说明书

本发明提供一种硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法，所述硅片单面制绒方法，包括如下步骤：在硅片的非制绒面沉积P型掺杂非晶硅作为掩膜；制绒。相较于现有技术，选用P型掺杂非晶硅作为掩膜，P型掺杂非晶硅为硼掺杂，掺入硼后更耐碱液腐蚀，保护效果好；且沉积温度低，对设备要求低，成本也低；薄膜均匀性好，厚度薄，节约材料和沉积成本；另一面绕度少，无需刻意去除。

技术领域

本发明涉及光伏领域，尤其涉及一种硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法。

背景技术

对于异质结电池(HJT电池)而言，其电流较现有PERC电池并无优势，但高开压是其获得高转化效率的主要优势。HJT电池采用采用薄片来降低成本，同时会导致输出电流进一步损失，薄片带来的电流损失主要是光的透射增加导致有效吸收降低。通过正面制绒、背面抛光是兼顾HJT电池电流提升与薄片化降本的有利手段。背面剖光可以有效降低光的透射，通过背面镜面反射使得光在电池体内光程增加，对光吸收更加充分。

单面制绒可以改善上述问题，但是目前的单面制绒方法存在如下问题：1)需要单面制备氧化硅薄膜作为掩膜，单面制备氧化硅薄膜工艺复杂繁琐；2)采用单面氧化硅膜进行单面制绒时，需使用特定添加剂才可实现较好的保护效果，且要求氧化层厚度≥10nm，制备过程成本高。

有鉴于此，有必要提供一种改进的硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅片单面制绒方法及太阳能电池制备方法。

为解决上述技术问题之一，本发明采用如下技术方案：

一种硅片单面制绒方法，包括如下步骤：在硅片的非制绒面沉积P型掺杂非晶硅作为掩膜；制绒。

进一步地，所述掩膜的厚度≥3nm。

进一步地，所述掩膜的厚度≤5nm，或所述掩膜的厚度≤10nm。

进一步地，沉积掩膜的过程为：使用PECVD单面沉积P型掺杂非晶硅掩膜，镀膜气氛为SiH₄:B₂H₆:H₂＝300sccm:450sccm:450sccm，沉积气压1.5Pa，功率400W，沉积温度200℃～300℃。

进一步地，所述硅片单面制绒方法还包括在沉积掩膜前对硅片进行粗抛，粗抛过程为：使用15％体积分数的KOH溶液，在8085℃条件下，处理50s以上。

进一步地，所述硅片单面制绒方法还包括在制绒前清洗硅片：使用1.5％体积分数的KOH和8％体积分数的H₂O₂的混合液，KOH溶液和H₂O₂溶液的体积比为1:5，在6585℃下进行清洗。

进一步地，制绒过程为使用3％体积分数的KOH加0.9％添加剂在80℃条件下进行制绒，添加剂为单晶碱制绒添加剂。

进一步地，所述硅片单面制绒方法还包括去除掩膜：使用HF加O₃进行掩膜清洗，HF溶液的体积浓度范围2％～5％，O₃浓度在30ppm～50ppm，清洗时间180～240s。

进一步地，所述硅片单面制绒方法还包括：在去除掩膜后去除表面金属离子，使用1.5％体积分数的HCl加8％体积分数的H₂O₂在6585℃下进行清洗。

一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用所述的硅片单面制绒方法对硅片进行制绒形成硅基；采用所述硅基制备太阳能电池。