[发明专利]CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置在审
申请号: | 202111574232.4 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114513652A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 张晓羽 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | H04N17/00 | 分类号: | H04N17/00;H04N5/374 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 朱智勇 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 参数 测试 方法 装置 | ||
本公开一个或多个实施例提供一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置,其中,测试方法包括:将所述图像传感器与测试平台连接;通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。根据编写的测试向量可以给被测管脚施加合适的电平、电源电压以及负载电流,有效实现对CMOS图像传感器的测试,并且此测试方法通用性强,适于实用,填补了对此类器件电参数测试上的空白,提高了测试覆盖率。
技术领域
本公开一个或多个实施例涉及传感器测试技术领域,尤其涉及一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置。
背景技术
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor即互补金属氧化物半导体,简称CMOS)图像传感器具有体积小、功耗低等优势,广泛应用于工业视觉、科学研究、航天军事及医疗仪器相关领域。随着背照式和堆栈式技术等新型CMOS图像传感器技术的进步,以及双摄像头、3D摄像头陆续出现并成为智能手机的新卖点。再加上汽车、无人机、VR以及AR技术等新兴市场的推动,CMOS图像传感器正迎来新一轮的产业成长高峰。众所周知,元器件在进行实际应用之前均要进行质量测试,只有在测试结果符合要求才可以上市销售,进而在实际中应用,而CMOS图像传感器的电参数又是衡量图像传感器的重要指标。因此,对CMOS图像传感器电参数的测试保证图像传感器的高可用性就显得尤为重要。
然而,现有的CMOS图像传感器测试中存在测试不准确,测试覆盖率低的问题。因此,需要提出一种有效的电参数测试方法来保证测试的质量。
发明内容
有鉴于此,本公开一个或多个实施例的目的在于提出一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置,以解决测试不准确,测试覆盖率低的问题。
基于上述目的,本公开一个或多个实施例提供了一种CMOS图像传感器电参数测试方法,包括:
将所述图像传感器与测试平台连接;
通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;
建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;
建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。
可选的,所述将所述图像传感器与测试平台连接,包括:
将所述图像传感器的电源信号管脚、输入信号管脚、输出信号管脚与所述测试平台连接。
可选的,所述通过所述测试平台设置所述被测器件的管脚参数,包括:
设置除电源管脚外的所有管脚参数。
可选的,所述电平参数,包括:
电源电平和输入脉冲电平。
可选的,所述时序参数,包括:
访问时间、采样时刻以及测试周期。
可选的,所述建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量,包括:
所述第一测试向量为SPI向量;
所述第二测试向量为Standby向量。
可选的,所述建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试,包括:
定义电源电压类型;
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