[发明专利]CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置在审
申请号: | 202111574232.4 | 申请日: | 2021-12-21 |
公开(公告)号: | CN114513652A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 张晓羽 | 申请(专利权)人: | 航天科工防御技术研究试验中心 |
主分类号: | H04N17/00 | 分类号: | H04N17/00;H04N5/374 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 朱智勇 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 参数 测试 方法 装置 | ||
1.一种CMOS图像传感器电参数测试方法,其中,包括:
将所述图像传感器与测试平台连接;
通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;
建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;
建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述将所述图像传感器与测试平台连接,包括:
将所述图像传感器的电源信号管脚、输入信号管脚、输出信号管脚与所述测试平台连接。
3.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述通过所述测试平台设置所述被测器件的管脚参数,包括:
设置除电源管脚外的所有管脚参数。
4.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述电平参数,包括:
电源电平和输入脉冲电平。
5.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述时序参数,包括:
访问时间、采样时刻以及测试周期。
6.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量,包括:
所述第一测试向量为SPI向量;
所述第二测试向量为Standby向量。
7.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试,包括:
定义电源电压类型;
根据所述电源电压类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试。
8.根据权利要求7所述的测试方法,其中,所述电源电压的类型包括:典型电源电压、最小电源电压以及最大电源电压;
所述根据所述电源电压的类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试,包括:
确定所述电源电压的类型,设置测试周期、管脚电平以及测试向量的类型;
根据所述电源电压的类型、所述测试周期、所述管脚电平以及所述测试向量的类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试。
9.根据权利要求8所述的测试方法,其中,包括:
所述输入高电平电压和输入低电平电压的测试方法为ac_tml.AcTest.FunctionalTest;
所述输出高电平电压和输出低电平电压的测试方法为dc_tml.DcTest.OutputDC;
所述输入高漏电流和输入低漏电流的测试方法为dc_tml.DcTest.Leakage;
所述静态电源电流的测试方法为dc_tml.DcTest.OperatingCurrent。
10.一种CMOS图像传感器电参数测试装置,其中,包括:
连接模块,被配置为将所述图像传感器与测试平台连接;
赋值模块,被配置为通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;
定义模块,被配置为建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;
测试模块,被配置为建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。
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