[发明专利]一种耗尽型功率电路及级联型漏电流匹配电路

权利要求书

1.一种耗尽型功率电路，其特征在于，所述耗尽型功率电路包括：

第一耗尽型功率器件、第二耗尽型功率器件、第三耗尽型功率器件及第四耗尽型功率器件；

所述第二耗尽型功率器件的漏极与所述第一耗尽型功率器件的漏极连接；所述第二耗尽型功率器件的源极与所述第一耗尽型功率器件的源极连接；所述第二耗尽型功率器件的栅极与所述第四耗尽型功率器件的源极连接；

所述第三耗尽型功率器件的源极与所述第一耗尽型功率器件的栅极连接；所述第三耗尽型功率器件的漏极与所述第四耗尽型功率器件的源极连接；所述第三耗尽型功率器件的栅极与所述第三耗尽型功率器件的源极短接；

所述第四耗尽型功率器件的漏极与所述第一耗尽型功率器件的源极连接；所述第四耗尽型功率器件的栅极与所述第四耗尽型功率器件的源极短接；

所述第一耗尽型功率器件的漏极、所述第一耗尽型功率器件的源极及所述第一耗尽型功率器件的栅极作为外部端子，用于与外部器件连接。

2.根据权利要求1所述的耗尽型功率电路，其特征在于，所述第一耗尽型功率器件、第二耗尽型功率器件、第三耗尽型功率器件及第四耗尽型功率器件均为耗尽型氮化镓器件。

3.根据权利要求1所述的耗尽型功率电路，其特征在于，所述第一耗尽型功率器件、第二耗尽型功率器件、第三耗尽型功率器件及第四耗尽型功率器件在同一片芯片上进行芯片级集成，整体形成一个器件。

4.一种级联型漏电流匹配电路，其特征在于，所述级联型漏电流匹配电路包括：硅金氧半场效晶体管SiMOS及权利要求1-2任一项所述的耗尽型功率电路；

所述耗尽型功率电路的第一耗尽型功率器件的栅极与所述SiMOS的源极连接；所述第一耗尽型功率器件的源极与所述SiMOS的漏极连接；

在第一耗尽型功率器件的漏电流大于硅金氧半场效晶体管的漏电流时，第一耗尽型功率器件的漏电流持续将硅金氧半场效晶体管的漏极和源极之间的电压升高，并将第一耗尽型功率器件栅源电压减小，使第二耗尽型功率器件处的电流持续减小，第三耗尽型功率器件和第四耗尽型功率器件处的电流持续增大；

在第一耗尽型功率器件的漏电流小于硅金氧半场效晶体管的漏电流时，硅金氧半场效晶体管的漏电流持续将硅金氧半场效晶体管的漏极和源极之间的电压减小，并将第一耗尽型功率器件栅源电压增大，使第二耗尽型功率器件处的电流持续增大，第三耗尽型功率器件和第四耗尽型功率器件处的电流持续减小；

在第二耗尽型功率器件处的电流与第三耗尽型功率器件和第四耗尽型功率器件处的电流之差等于硅金氧半场效晶体管的漏电流与第一耗尽型功率器件的漏电流之差时，实现电流平衡。

5.根据权利要求4所述的级联型漏电流匹配电路，其特征在于，所述硅金氧半场效晶体管、第一耗尽型氮化镓器件、第二耗尽型氮化镓器件、第三耗尽型氮化镓器件、第四耗尽型氮化镓器件合封为一体。