[发明专利]用于制造电子部件的方法在审

专利信息
申请号: 202111562967.5 申请日: 2021-12-20
公开(公告)号: CN114646668A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: M·迈耶;J·E·阿达蒂·埃斯特维兹;A·M·罗斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 张宁
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 电子 部件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造电子部件(1)的方法,所述方法包括以下步骤:

提供衬底(2)和由所述衬底(2)支撑的功能层(3);

在所述衬底(2)的一侧上形成结构化保护层(4),所述功能层(3)被附接到所述衬底(2)的所述一侧,其中所述结构化保护层(4)具有一个或多个凹槽(5),使得所述功能层(3)的一个或多个部分(6)被暴露;

将包含溶剂和导电组分的分散体(7)施加到所述功能层(3)的所暴露的部分(6)中的至少一个部分,使得所述凹槽(5)中的至少一个凹槽至少部分地填充有所述分散体(7);

干燥所述分散体(7)以创建导电层(8);

去除所述结构化保护层(4)。

2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:

在形成所述结构化保护层(4)之前将牺牲层(9)施加到所述功能层(3);

其中,形成所述结构化保护层(4)的步骤包括以下步骤:

在所述牺牲层(9)上形成所述结构化保护层(4),其中在所述结构化保护层(4)的凹槽(5)中的每个凹槽中,暴露所述牺牲层(9)的一部分;

在所述牺牲层(9)上形成所述结构化保护层(4)之后,去除所述牺牲层(9)的所暴露的一部分(10)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述功能层(3)在所述衬底(2)的腔(11)上方延伸,其中所述结构化保护层(4)被施加到所述功能层(3)的、背向所述衬底(2)的一侧。

4.根据权利要求2或3任一项所述的方法,其中通过化学气相沉积工艺来施加所述牺牲层(9)。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法,其中所述牺牲层(9)包括碳。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述结构化保护层(4)通过光刻工艺形成,其中所述结构化保护层包括光刻胶。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法,其中通过第一蚀刻工艺去除所述牺牲层(9)的、在所述凹槽(5)中暴露的所述一部分(10)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中通过喷墨印刷工艺施加所述分散体(7)。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中通过喷涂工艺施加所述分散体(7)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述功能层(3)包括接触装置(12),其中所述接触装置以以下方式形成:所述导电层(8)被连接到所述接触装置(12),使得所述导电层(8)的电阻或者所述导电层(8)与连接到所述接触装置(12)的参考电极之间的电容量能够使用所述接触装置(12)而被感测。

11.根据权利要求1至9所述的方法,其中所述电子部件(1)是化学电阻气体传感器(1),其中所述导电层(8)被配置用于感测气体混合物中的一种或多种气体,其中所述导电层(8)的电阻或所述导电层(8)与参考电极之间的电容量取决于所述气体混合物。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述功能层(3)包括加热元件(13),所述加热元件(13)被配置用于加热所述导电层(8)。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中以如下方式完成将所述分散体(7)施加到所述功能层(3)的暴露的所述部分(6)中的所述至少一个部分的步骤:使得所述分散体(7)到达所述凹槽(5)中的所述至少一个凹槽的外边缘(14)。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中以如下方式完成将所述分散体(7)施加到所述功能层(3)的暴露的所述部分(6)中的所述至少一个部分的步骤:使得所述分散体(7)在所述凹槽(5)中的所述至少一个凹槽的所述外边缘上延伸。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中通过第二蚀刻工艺去除所述保护层(4)以及所述分散体(7)的所述部分,所述分散体(7)的所述部分在所述凹槽(5)中的所述至少一个凹槽的所述外边缘(14)上延伸。

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