[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供基板处理装置，更具体地涉及一种能够在使用等离子体的基板处理装置抑制在传输高频功率的同轴电缆发生的发热现象的基板处理装置。

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更具体地涉及一种能够在使用等离子体的基板处理装置抑制在传输高频功率的同轴电缆发生的发热现象的基板处理装置。

背景技术

一般而言，基板处理装置执行对基板的沉积、蚀刻等工艺，并使用等离子体而用于提高处理工艺的效率。图7为使用等离子体的现有技术的基板处理装置1的结构。

现有技术的基板处理装置1在腔体10内部设置第一电极20和与第一电极20相对配置的第二电极30。在第二电极30安装基板S，并具有：射频发生器(RF generator)70，向第二电极30供应高频功率；匹配器(matcher)60，将高频功率与阻抗匹配；同轴电缆50，传送高频功率。同轴电缆50连接匹配器60和腔体10而向第二电极30传送高频功率。

对于现有技术的基板处理装置1，因经过同轴电缆50的相对高的电流而在同轴电缆50发生100至150℃以上的发热现象。该发热现象缩短同轴电缆50的寿命，而且降低基板处理装置1的安全性。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是为了解决如上所述的问题，其目的在于提供一种基板处理装置，在使用等离子体的基板处理装置中，抑制同轴电缆的发热现象。

用于解决问题的技术方案

如上所述的本发明的目的通过基板处理装置实现，其包括：第一电极，设置在腔体内部；第二电极，与所述第一电极相对，设置在所述腔体内部；及高频供应部，与所述第二电极连接，其中，所述高频供应部包括：射频发生器(RF generator)，向所述第二电极供应高频功率；匹配器(matcher)，在所述第二电极和所述射频发生器之间连接而匹配所述高频功率的阻抗；同轴电缆，配置在所述匹配器和所述腔体之间而向所述第二电极传送高频功率；阻抗转换器，改变所述同轴电缆的阻抗。

在此，所述第一电极被设置在所述腔体内部的上部，所述第二电极在所述腔体内部的下部与所述第一电极相对设置。

另外，所述阻抗转换器在所述同轴电缆和所述腔体之间连接。

而且，所述阻抗转换器构成使得减少所述同轴电缆的电流。

另外，所述阻抗转换器具有在所述同轴电缆和所述第二电极之间串联连接的电感器及并联连接的电容器，对于该情况，所述电容器由可变电容器构成。

并且，所述阻抗转换器还包括：冷却部，冷却包含在所述阻抗转换器的电路元件。

而且，还设置：附加匹配器，与所述第一电极连接，所述附加匹配器由可变电容器构成。

另外，在所述腔体内侧提供对所述基板的反应空间的多个台，所述第一电极、第二电极及高频供应部分别设置在所述多个台。

发明的效果

根据具有上述结构的本发明，在使用等离子体的基板处理装置，抑制同轴电缆的发热现象而延长同轴电缆的寿命并提高安全性。

附图说明

图1为显示本发明的一实施例的基板处理装置的腔体的结构的侧截面图；

图2为图1中阻抗转换器的位置变更的腔体的侧截面图；

图3为显示阻抗转换器的结构的电路图；

图4为另一实施例的基板处理装置的腔体的侧截面图；

图5为又一实施例的基板处理装置的腔体的分解立体图；

图6为图5的腔体的侧截面图；