[发明专利]横向光电探测器

权利要求书

1.一种横向光电探测器，其特征在于，包括：

衬底；

第一外延层，形成于所述衬底上，且背离所述衬底的一侧形成有隔离平台；

阳极区和阴极区，形成于所述第一外延层上，且所述阳极区和所述阴极区通过所述隔离平台隔离，所述隔离平台的上表面高于所述阳极区的上表面以及所述阴极区的上表面；其中，所述阳极区、所述隔离平台和所述阴极区形成横向PIN结；

第一电极，形成于所述阳极区上；

第二电极，形成于所述阴极区上。

2.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述阳极区为第一掺杂浓度的重掺杂P型区；

所述阴极区为第二掺杂浓度的重掺杂N型区；

所述第一外延层为第三掺杂浓度的轻掺杂P型或者轻掺杂N型半导体材料；其中，第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均大于所述第三掺杂浓度。

3.如权利要求2所述的横向光电探测器，其特征在于，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度均处于10¹⁸～10²⁰cm^-3范围；

所述第三掺杂浓度处于10¹⁴～10¹⁸cm^-3范围，且不包括10¹⁸cm^-3。

4.如权利要求1所述的横向光电探测器，其特征在于，所述衬底为半绝缘型半导体材料或者导电型半导体材料。

5.如权利要求4所述的横向光电探测器，其特征在于，所述衬底为硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅、金刚石、蓝宝石中的任意一种。

6.如权利要求1至5任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述阳极区、所述阴极区在水平方向均与所述隔离平台相邻；或者，

所述阳极区、所述阴极区在水平方向均与所述隔离平台相交；或者，

所述阳极区、所述阴极区在水平方向均与所述隔离平台相距预设距离。

7.如权利要求1至5任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述第一外延层和所述衬底之间的至少一层缓冲层；或者，

设置在所述第一外延层和所述衬底之间的第二外延层，所述第二外延层与所述第一外延层的半导体材料类型不同。

8.如权利要求1至5任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述阳极区和所述阴极区均为矩形，或者均为圆形，或者均为环形。

9.如权利要求1至5任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述横向光电探测器的上表面，覆盖除所述第一电极和所述第二电极以外区域的钝化层。

10.如权利要求1至5任一项所述的横向光电探测器，其特征在于，所述探测器还包括：

设置在所述横向光电探测器的上表面，覆盖除所述第一电极和所述第二电极以外区域的增透膜层。