[发明专利]射频功率放大器在审
| 申请号： | 202111553690.X | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114123999A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 | 申请（专利权）人： | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/19 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 梁栋国 |
| 地址： | 100085 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率放大器 | ||
1.一种射频功率放大器，包括：
功率放大晶体管，被配置为使得其基极通过隔直电容器连接到射频输入端，其集电极连接到射频输出端，并且其集电极通过键合线连接到接地节点；
隔直电容器，其被连接到射频输入端和功率放大晶体管的基极之间；
偏置电路，其连接在供电电源和功率放大晶体管的基极；以及
键合线，其被配置为连接在功率放大晶体管的集电极和接地节点，以调节功率放大晶体管发射极对地的等效电感，
其中，所述功率放大晶体管、所述隔直电容器以及所述偏置电路被设置在半导体晶圆上。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，所述偏置电路为偏置电阻器。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，所述功率放大晶体管为HBT晶体管。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，所述半导体晶圆包括GaAs晶圆、CMOS晶圆、GeSi晶圆。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，射频功率放大器还包括第一电阻器，其被配置为与隔直电容器串联，并且连接在射频输入端和功率放大晶体管的基极之间。
6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，射频功率放大器还包括第二电阻器和第一电容器，所述第二电阻器和第一电容器并联连接并且被配置为与隔直电容器串联连接在射频输入端和功率放大晶体管的基极之间。
7.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，通过调整所述键合线的形状、长度或者高度来调整所述功率放大晶体管发射极的对地等效电感量。
8.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其中，通过射频功率放大器的增益以及功率放大晶体管发射极的对地等效电感来调整射频功率放大器的非稳定区域的范围。
9.根据权利要求8所述的射频功率放大器，其中，通过射频功率放大器的增益以及功率放大晶体管发射极的对地等效电感来调整射频功率放大器负载的失配程度，来调整射频功率放大器的非稳定区域的范围。
10.一种调整射频功率放大器的稳定区域的方法，所述射频功率放大器包括：功率放大晶体管，被配置为使得其基极通过隔直电容器连接到射频输入端，其集电极连接到射频输出端，并且其集电极通过键合线连接到接地节点；隔直电容器，其被连接到射频输入端和功率放大晶体管的基极之间；偏置电路，其连接在供电电源和功率放大晶体管的基极；以及键合线，其被配置为连接在功率放大晶体管的集电极和接地节点，以调节功率放大晶体管发射极对地的等效电感，其中，所述功率放大晶体管、所述隔直电容器以及所述偏置电路被设置在半导体晶圆上，所述方法包括：
通过射频功率放大器的增益以及功率放大晶体管发射极的对地等效电感来调整射频功率放大器的非稳定区域的范围，
其中，通过调整所述键合线的形状、长度或者高度来调整所述功率放大晶体管发射极的对地等效电感量。
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