[发明专利]一种小型化温补晶振在审
| 申请号： | 202111550124.3 | 申请日： | 2021-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114499452A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 睢建平;郑文强;哈斯图亚;崔巍;段友峰;刘小光 | 申请（专利权）人： | 北京无线电计量测试研究所 |
| 主分类号： | H03H9/205 | 分类号： | H03H9/205;H03L1/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 王德桢 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 小型化 温补晶振 | ||
1.一种小型化温补晶振，其特征在于，包括：基座、设置于所述基座上的第一晶体谐振器组件、第二晶体谐振器组件、温补芯片、以及滤波电容组件，其中，
所述第一晶体谐振器组件、第二晶体谐振器组件、温补芯片、以及滤波电容组件通过所述基座实现电气连接；
所述第一晶体谐振器组件与第二晶体谐振器组件互补，对振荡进行抵消；
所述温补芯片用于对所述第一晶体谐振器组件和第二晶体谐振器组件进行温度补偿；
所述滤波电容组件用于对所述温补芯片进行滤波。
2.根据权利要求1所述的温补晶振，其特征在于，所述第一晶体谐振器组件包括：第一晶体陶瓷底座、第一晶体石英晶片、第一晶体金电极及第一晶体金属盖板。
3.根据权利要求2所述的温补晶振，其特征在于，所述第二晶体谐振器组件包括：第二晶体陶瓷底座、第二晶体石英晶片、第二晶体金电极及第二晶体金属盖板。
4.根据权利要求2所述的温补晶振，其特征在于，
所述第一晶体金电极通过镀膜工艺设置于所述第一晶体石英晶片上以形成第一晶体石英振子；
所述第一晶体石英振子通过导电胶粘接于所述第一晶体陶瓷底座；
所述第一晶体金属盖板通过平行焊封装技术焊接于所述第一晶体陶瓷底座以形成第一晶体谐振器组件。
5.根据权利要求3所述的温补晶振，其特征在于，
所述第二晶体金电极通过镀膜工艺设置于所述第二晶体石英晶片上以形成第二晶体石英振子；
所述第二晶体石英振子通过导电胶粘接于所述第二晶体陶瓷底座；
所述第二晶体金属盖板通过平行焊封装技术焊接于所述第二晶体陶瓷底座以形成第二晶体谐振器组件。
6.根据权利要求1所述的温补晶振，其特征在于，所述滤波电容组件包括：第一滤波电容、第二滤波电容以及第三滤波电容，其中，所述滤波电容组件通过导电胶粘接于所述基座的电容焊盘以实现对所述温补芯片进行滤波。
7.根据权利要求1所述的温补晶振，其特征在于，
所述温补芯片通过导电胶粘接于所述基座内的凹槽；
所述温补芯片的引脚和所述基座的焊盘通过金丝键合的方式进行电气连接。
8.根据权利要求1所述的温补晶振，其特征在于，所述第一晶体谐振器和第二晶体谐振器通过导电胶粘接于所述基座的焊盘，以完成小型化温补晶振的装配。
9.根据权利要求2所述的温补晶振，其特征在于，所述第一晶体陶瓷底座和第二晶体陶瓷底座的型号为SMD3225晶体底座。
10.根据权利要求2所述的温补晶振，其特征在于，所述基座的型号为SMD7050晶体基座。
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