[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法在审
| 申请号： | 202111547656.1 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114256132A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 田守卫;胡海天;章盟狄;李正阶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C23C16/40;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
刻蚀所述衬底，以形成沟槽；
使用第一填充工艺，向所述沟槽内填充氧化物，直到填充的深度比所述沟槽的深度低250埃～350埃时停止填充；以及
使用第二填充工艺，向剩余的所述沟槽内填充氧化物，其中，所述第二填充工艺的射频功率小于所述第一填充工艺的射频功率。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括晶圆。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述衬底，以形成沟槽之前，还包括：
在所述衬底的表面形成氧化物层；以及
在所述氧化物层的表面形成氮化物层。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，干法刻蚀所述衬底形成沟槽。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的深度为4400埃～4600埃。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述第一填充工艺中，射频功率为8800w～9200w，在所述第二填充工艺中，射频功率为4200w～4600w。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，第一填充工艺中，采用化学气相沉积法向所述沟槽内填充氧化物；第二填充工艺中，采用化学气相沉积法向剩余的所述沟槽内填充氧化物。
8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一填充工艺的沉积率为40埃每秒～50埃每秒，第二填充工艺的沉积率为70埃每秒～90埃每秒。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，氧化物为氧化硅。
10.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在使用第二填充工艺，向剩余的所述沟槽内填充氧化物之后，还包括：采用化学机械研磨的方法研磨氧化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
