[发明专利]一种超双疏的微纳复合结构及其制备方法

权利要求书

1.一种超双疏的微纳复合结构的制备方法，包括以下步骤：

在基底上旋涂光刻胶，将光刻掩模板附在所述光刻胶的表面，依次进行光刻和元素刻蚀，得到微米孔阵列；

在所述微米孔阵列的表面包裹二氧化硅层，得到微米孔结构；

将吸收有压印胶的PDMS软模板覆于所述微米孔结构上，进行纳米压印，得到微纳复合结构；

对所述微纳复合结构进行防粘处理，得到所述超双疏的微纳复合结构；

所述光刻掩模板具有微米阵列；

所述PDMS软模板具有纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底包括硅基底或碳基底。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，当所述基底为硅基底时，所述元素刻蚀的刻蚀气体包括SF₆，保护气体包括C₄F₈。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶包括S1813光刻胶或AZ5214光刻胶。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微米阵列的形状包括方形、圆形或等腰梯形；所述微米阵列的尺寸为30μm～150μm；所述光刻掩模板的占空比为9～15％。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述元素刻蚀的高度为4～9μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为15～30nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述吸收有压印胶的PDMS软模板的制备方法包括：

在空白基板旋涂压印胶，将PDMS软模板自然覆于所述压印胶上吸胶，得到吸收有压印胶的PDMS软模板。

9.根据权利要求1或8所述的制备方法，其特征在于，所述纳米阵列为直径为100～400nm，高度为200～500nm、周期为300～800nm的圆柱阵列。

10.权利要求1～9任一项所述的制备方法得到的超双疏的微纳复合结构，其特征在于，所述超双疏的微纳复合结构的水接触角为150～162.8°，油接触角为150～154.8°。