[发明专利]一种溅镀镀膜设备

说明书

本发明涉及镀膜技术领域，具体为一种溅镀镀膜设备，包括箱体、固定连接在箱体一侧壁的固定杆、靶材支架、靶材、基片支架和基片，靶材固定安装在靶材支架的一侧，基片支架设于远离靶材一端的箱体内，基片固定安装在基片支架的一侧，所述箱体的侧壁上开设有两个对称设置的滑槽，所述基片支架的两端均固定安装有滚轮，且滚轮在滑槽的内部滑动。本发明通过设置第一活塞、第一伸缩杆等机构，镀膜开始前基片支架处于滑槽中部的平衡位置，通过观察指针所指刻度，并且根据镀膜材料的特性向第一活塞与箱体之间的空间充入或者释放氩气用来调节第一活塞的位置，实现对基片位置的调节，达到对基片镀膜时的均匀性。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，具体为一种溅镀镀膜设备。

背景技术

溅镀，通常指的是磁控溅镀，该工艺要求真空度在1×10-3Torr左右，即1.3×10-3Pa的真空状态充入惰性气体氩气，并在塑胶基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压直流电，由于辉光放电产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在塑胶基材上。

现有专利(公告号：CN109402584A)一种溅射距离可调的磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空室，内部设置有基片架以及输送基片架的传送机构，所述基片架底部具有研磨棒；用于托起基片架的提升机构，包括可竖直升降的提升滑块以及与提升滑块配合的提升滑座，所述提升滑块具有与所述研磨棒的端部相配合的支撑部；以及在托起基片架后驱动提升机构及基片架沿垂直传送机构行进方向移动的平移机构。

上述专利通过在传统溅镀技术限制基片与靶材之间距离的基础上设置在托起基片架后驱动提升机构及基片架沿垂直传送机构行进方向移动的平移机构，以调节基片和靶材之间的距离，使得在镀膜时可以在基片上形成均匀的膜层。但是上述专利仍存在弊端，在对基片架平移的过程中需要将基片架提升后才可再次平移，并且提升机构与平移机构所需机械元件过于复杂，不能充分体现设计的实用性。

为此，提出一种溅镀镀膜设备。

发明内容

本发明的目的在于提供一种溅镀镀膜设备，以解决上述背景技术中提出传统溅镀技术限制基片与靶材之间的距离的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种溅镀镀膜设备，包括箱体、固定连接在箱体一侧壁的固定杆、靶材支架、靶材、基片支架和基片，固定杆的一端固定连接在靶材支架的中部，靶材固定安装在靶材支架的一侧，基片支架设于远离靶材一端的箱体内，基片固定安装在基片支架的一侧，所述箱体的侧壁上开设有两个对称设置的滑槽，所述基片支架的两端均固定安装有滚轮，且滚轮在滑槽的内部滑动，所述基片支架的中部固定安装有第一伸缩杆，所述第一伸缩杆的一端固定安装有第一活塞，所述第一伸缩杆上套设有第一弹簧，且第一弹簧的两端分别固定连接在基片支架和第一活塞上，所述第一活塞的一侧固定安装有两个对称设置的第二弹簧，两个所述第二弹簧的一端固定安装在箱体的内部上，所述箱体的一侧内开设有第一内腔，所述第一内腔的内部固定安装有透明刻度板，所述第一活塞上固定安装有指针，所述指针的针尖指向透明刻度板的刻度；

所述箱体的一侧固定安装有收集箱，所述收集箱的内部设有用于回收再利用箱体内部的氩气的二次利用机构，所述箱体的侧壁上开设有第一凹槽，所述箱体的顶壁上开设有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽的内部均设有用于防止箱体内氩气回流的控制机构，所述箱体的外侧设有水泵，所述箱体和靶材内设有用于降低靶材的冷却机构，所述固定杆上设有用于控制水泵启停的控制开关，所述箱体和收集箱的内部设有用于移动基片的驱动机构，所述箱体的侧壁内固定安装有通气管，所述箱体的侧壁内设有用于连通通气管并控制出气的排气机构。

通过设置第一活塞、第一伸缩杆、第二弹簧等机构，镀膜开始前利用抽真空装置将箱体内部抽成真空而减少镀膜时的氧化反应，之后充入氩气充当反应气体，此时基片支架处于滑槽中部的平衡位置，通过观察指针所指刻度，并且根据镀膜材料的特性向第一活塞与箱体之间的空间充入或者释放氩气用来调节第一活塞的位置，实现对基片位置的调节，达到对基片镀膜时的均匀性。