[发明专利]在邻近发射器之间具有变化间隔的发射器阵列在审

专利信息
申请号: 202111520513.1 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN114374147A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: A.袁;A.V.巴韦 申请(专利权)人: 朗美通经营有限责任公司
主分类号: H01S5/42 分类号: H01S5/42;H01S5/183
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贺紫秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 邻近 发射器 之间 具有 变化 间隔 阵列
【说明书】:

在一些实施方式中,VCSEL阵列可以包括多个VCSEL,其每一个同时工作且以相同波长发光。多个VCSEL中第一对邻近VCSEL之间的第一距离可以与多个VCSEL中第二对邻近VCSEL之间的第二距离不同。与第二对邻近VCSEL相比,第一对邻近VCSEL可以定位为更靠近VCSEL阵列的中心。与另一VCSEL阵列相比,该另一VCSEL阵列具有与包括均匀间隔VCSEL的VCSEL阵列相同的物理占用空间,多个VCSEL中温度非均匀性或光功率非均匀性中的至少一个可以减小。

本申请是申请日为2018年9月25日、申请号为201811121109.5、发明名称为“在邻近发射器之间具有变化间隔的发射器阵列”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明通常涉及激光器,且更具体涉及发射器阵列,其发射器阵列在邻近发射器之间的变化间隔。

背景技术

垂直发射装置(例如垂直空腔表面发射激光器(VCSEL))是一种激光器,其中激光光束沿垂直于基体表面的方向发出(例如从半导体晶片的表面垂直地)。与边缘发射装置不同,垂直发射装置可以允许在晶片制造的中间步骤进行测试。

发明内容

根据一些可行的实施方式,VCSEL阵列可以包括多个VCSEL,其每一个同时工作且以基本上相同波长发光。多个VCSEL中第一对邻近VCSEL之间的第一距离可以与多个VCSEL中第二对邻近VCSEL之间的第二距离不同。与第二对邻近VCSEL相比,第一对邻近VCSEL可以定位为更靠近VCSEL阵列的中心。与另一VCSEL阵列相比,该另一VCSEL阵列具有与包括均匀间隔VCSEL的VCSEL阵列相同的物理占用空间,多个VCSEL中温度非均匀性或光功率非均匀性中的至少一个可以减小。

根据一些可行的实施方式,发射器阵列可以包括多个发射器,其同时工作且以基本上相同波长发射激光束。多个发射器中邻近发射器之间的距离可以基于发射器阵列的中心和邻近发射器之间的距离。与另一发射器阵列相比,该另一发射器阵列具有与包括均匀间隔发射器的发射器阵列相同的物理占用空间,多个发射器中温度均匀性或光功率均匀性中的至少一个可以增加。

根据一些可行的实施方式,激光器阵列可以包括在不同对的邻近垂直发射装置之间具有变化间隔的多个垂直发射装置。多个垂直发射装置可以同时工作,从而以基本上相同的波长生产光。多个垂直发射装置中一对邻近垂直发射装置的间隔可以是激光器阵列的中心与该一对邻近垂直发射装置之间距离的函数。

附图说明

图1A是在邻近发射器之间具有均匀间隔的示例性发射器阵列的示意图;

图1B是在邻近发射器之间具有变化间隔的示例性发射器阵列和在邻近发射器之间具有均匀间隔的示例性发射器阵列之间比较的示意图;

图1C是在邻近发射器之间具有变化间隔的示例性发射器阵列和在邻近发射器之间具有均匀间隔的示例性发射器阵列之间的另一比较的示意图;和

图2A和2B是分别显示了示例性发射器的俯视图和示例性发射器的示例性截面图的示意图。

具体实施方式

示例性实施方式的以下详细描述参照了附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。下文所述的实施方式仅仅是例子且目的不是将实施方式限制为确切公开的形式。替代地,实施方式被选择为用于描述,使得本领域技术人员能实现所述实施方式。

图1A是在邻近发射器之间具有均匀间隔的示例性发射器阵列的示意图。图1A显示了在邻近发射器之间具有相对小的均匀间隔的示例性发射器阵列100和在邻近发射器之间具有相对大的均匀间隔的示例性发射器阵列105。如所示的,发射器阵列100、105可以是二维发射器阵列。如进一步所示的,发射器阵列100、105可以包括多个发射器110。发射器110可以包括激光器,且在本文其他位置描述关于发射器110的额外细节。

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