[发明专利]用于模拟β辐射源的电子束发生器及测试方法

权利要求书

1.用于模拟β辐射源的电子束发生器，包括电子光学系统，其特征在于，所述电子光学系统包括电子枪(1)、正极(2)、一级磁透镜(4)和二级磁透镜(5)；

所述电子枪(1)用于在尖端发射电子，所述电子枪(1)与电压范围为0-60kV的高压电源连接；

所述正极(2)设置在电子枪(1)后端；用于加速在尖端发射的电子；

所述一级磁透镜(4)设置在正极(2)后端，用于汇聚加速后的电子；

所述二级磁透镜(5)设置在一级磁透镜(4)后端，用于将过焦点再次发散的电子束变成平行电子束。

2.根据权利要求1所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述电子枪(1)置于真空环境中。

3.根据权利要求1所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述电子枪(1)采用钨灯丝发射电子。

4.根据权利要求1所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述一级磁透镜(4)和二级磁透镜(5)分别通过两台超高精度电流源控制磁场。

5.根据权利要求1所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，包括壳体，所述壳体的内侧上部安装电子光学系统，所述壳体的内侧下部为真空腔室(6)；

所述真空腔室(6)设置有门，所述真空腔室(6)内设置有三维移动台，所述三维移动台上设置有测试样品台(5)，所述测试样品台(5)为圆盘，所述圆盘上沿径向在x轴和y轴方向安装分别安装有一列螺钉，同列螺钉中的各个螺钉呈等间距布置，两列螺钉具有相同布置，所述螺钉与圆盘绝缘，且螺钉之间相绝缘，每个螺钉通过导线与外部的皮安表连接。

6.根据权利要求5所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述真空腔室(6)的侧壁上设置有法兰口，所述导线能够穿过法兰口与皮安表连接。

7.根据权利要求5所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述真空腔室(6)的极限真空度为1E10^-4Pa。

8.根据权利要求5所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述壳体采用机械泵和分子泵维持壳体内的真空环境，确保真空腔室(6)的真空度。

9.根据权利要求5所述的用于模拟β辐射源的电子束发生器，其特征在于，所述圆盘的半径为6cm，相邻两个螺钉之间的间距为1cm。

10.基于权利要求5-9任一项所述的电子束发生器的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将圆盘的中心与电子束发射的轴线对齐；

S2、待电子枪正常工作时，通过调整聚焦电流，使得圆盘上中心处的电流为300pA；

S3、依次测得距离中心处1cm、2cm、4cm和6cm处的电流。